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Ra.e ea.th effect of yttrium on forma.ion a.d property of Cr2O3 oxide film formed on Co-Cr bina.y a.loy

Progress in Na.ura. Science:Ma.eria.s Interna.iona. 2006年第1期16卷 72-77页

作者： felix a. congrado a.OYa.E M. Ha.a.a College of Ma.eria.s Science a.d Engineering Na.iona. University of a.tiuquia Medellin 23715Colombia

The isotherma. oxidizing kinetics of Co-40Cr a.loy a.d its yttrium ion-impla.ted sa.ples were studied a. 1000 ℃ in a.r by therma.-gra.ity a.a.ysis (TGa.. Sca.ning electronic microscopy (SEM) wa. used to exa.ine the Cr2O3 oxide film's morphology a.ter oxida.ion. Seconda.y ion ma.s spectrum (SIMS) method wa. used to exa.ine the binding energy cha.ge of chromium ca.sed by Y-doping a.d its influence on forma.ion of Cr2O3 film. a.oustic emission (a.) method wa. used in situ to monitor the cra.king a.d spa.ling of oxide films formed on both sa.ples during oxidizing a.d subsequent a.r-cooling sta.es. Theoretica. model simula.ing the film fra.ture process wa. proposed to a.a.yze the a.oustic emission spectrum both on time doma.n a.d on a.-event number doma.n. It is found tha. yttrium ion-impla.ta.ion ca. rema.ka.ly reduce the isotherma. oxidizing ra.e of Co-40Cr a.d improve the a.ti-cra.king a.d a.ti-spa.ling properties of Cr2O3 oxide film. Rea.ons for the improvement a.e ma.nly tha. the impla.ted yttrium ca. reduce the gra.n size of Cr2O3 oxide, increa.e the high tempera.ure pla.ticity of oxide film, a.d rema.ka.ly reduce the number a.d size of Cr2O3/Co-40Cr interfa.ia. defects.

关键词： interfa.e binding energy a.oustic emission oxida.ion yttrium.

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Influence of Yttrium Ion-impla.ta.ion on Oxida.ion Kinetics of Co-40Cr a.loy a.d Property of Oxide/Substra.e Interfa.e

引用

Journa. of Wuha. University of Technology(Ma.eria.s Science) 2007年第2期22卷 201-204页

作者：靳惠明 felix congrado a.OYa.E Ha.a.a Depa.tment of Mecha.ica. Engineering Yangzhou University Depa.tment of Ma.eria.s Engineering National University of Antiuquia

The isotherma. a.d cyclic oxidizing kinetics of Co-40Cr a.loy a.d its yttrium ion-impla.ted sa.ples were studied a. 1000℃ in a.r by therma.-gra.ity a.a.ysis （TGa.. Sca.ning electronic microscopy （SEM） wa. used to exa.ine the Cr203 oxide film＇s morphology a.ter oxida.ion. Seconda.y ion ma.s spectroscopy （SIMS） method wa. used to exa.ine the binding energy cha.ge of chromium ca.sed by yttrium doping. a.oustic emission （a.） method wa. used in situ to monitor the cra.king a.d spa.ling of oxide films formed on both sa.ples during oxidizing a.d subsequent a.r-cooling sta.es. It is found tha. yttrium impla.ta.ion rema.ka.ly reduces the isotherma. oxidizing ra.e of Co-40Cr a.d improves the a.ti-cra.king a.d a.ti-spa.ling properties of Cr2O3 oxide film. The rea.ons for the improvements a.e ma.nly tha. impla.ted yttrium reduces the gra.n size of Cr2O3 oxide, increa.es the high tempera.ure pla.ticity of oxide film, a.d rema.ka.ly reduces the number a.d size of Cr2O3/Co-40Cr interfa.ia. defects.

关键词： interfa.e element binding energy oxida.ion a.oustic emission

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