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检索条件"作者=fang Yong-zheng"
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Mechanical Property Evaluation of GaAs Crystal for Solar Cells
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Chinese Physics Letters 2011年 第8期28卷 202-205页
作者: JIN Min fang yong-zheng SHEN Hui JIANG Guo-Jian WANG Zhan-yong XU Jia-Yue School of Materials Science and Engineering Shanghai Institute of TechnologyShanghai 200235
The mechanical properties of Si-doped(111)GaAs crystal for solar cells are investigated by means of a microindentation ***'microhardness Hv exhibits a nonlinear relationship with the applied *** the range of 0.1–1 kg... 详细信息
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3D-QSAR and action mechanism of potential dual inhibitors towards AP-1 and NF-κB
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Journal of Chemistry and Chemical Engineering 2009年 第1期3卷 1-12页
作者: QIAN Li LIAO Si-yan MIAO Ti-fang SHEN yong zheng Kang-cheng School of Chemistry and Chemical Engineering Sun Yat-Sen University Guangzhou 510275 China
Three-dimensional quantitative structure-activity relationship (3D-QSAR) and docking studies of a series of novel dioxopyrrolinyl-amino-pyrimidine derivatives, which are potential dual inhibitors mediating a transcr... 详细信息
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GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应
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人工晶体学报 2015年 第10期44卷 2632-2640页
作者: 徐家跃 王冰心 金敏 房永征 上海应用技术学院材料科学与工程学院 上海201418
作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,... 详细信息
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有序性中间相焦的制备研究
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高校化学工程学报 2008年 第4期22卷 644-649页
作者: 金鸣林 陈静 周晓龙 房永征 上海应用技术学院材料工程系 上海200235 华东理工大学石油加工研究所 上海200237
如何实现中间相的受控生长一直是中间相炭材料领域的热点问题之一。本研究以预处理后的FCC油浆为原料,采用一种带气流导向作用的变径管式反应器通过热聚合实现了中间相的有序生长与融并,最终形成有序结构的中间相焦。试验选择的条件为:... 详细信息
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Eu^(2+)、Mn^(2+)、Sr^(2+)掺杂BaMgAl_(10)O_(17)的燃烧法合成及光致发光性能(英文)
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无机化学学报 2016年 第12期32卷 2075-2081页
作者: 张长伟 丁艳花 张娜 张建勇 房永征 张骋 上海应用技术大学材料科学与工程学院 上海201418 上海应用技术大学化学与环境工程工程学院 上海201418
在600℃温度下,采用液相燃烧法合成了Sr^(2+)、Eu^(2+)和Mn^(2+)三掺的Ba Mg All0O17(BAM)蓝绿荧光粉。用XRD、SEM和荧光光谱仪分别分析和表征该荧光粉的物相、形貌和光致发光性能。结果表明,液相燃烧法合成BAM的温度明显低于传统的高... 详细信息
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Hydrogen sulfide ameliorates vascular calcification induced by vitamin D3 plus nicotine in rats
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Acta Pharmacologica Sinica 2006年 第3期27卷 299-306页
作者: Sheng-ying WU~(2,6) Chun-shui PAN~3 Bin GENG~3 Jing ZHAO~3 fang YU~3 yong-zheng PANG~3 Chao-shu TANG~4 yong-fen QI~(3,4,5) ~2Institute of Cardiovascular Disease,Peking University First Hospital.Beijing 100034 ~3Department of Physiology and Pathophysiology,Peking University Health Science Center,Beijing 100083,China,~4Key Laboratory of Molecular Cardiovascular Science,Ministry of Education,Beijing 100083,China 2Institute of Cardiovascular Disease Peking University First Hospital Beijing 100034 China 3Department of Physiology and Pathophysiology Peking University Health Science Center Beijing 100083 China 3Department of Physiology and Pathophysiology Peking University Health Science Center Beijing 100083 China 3Department of Physiology and Pathophysiology Peking University Health Science Center Beijing 100083 China 3Department of Physiology and Pathophysiology Peking University Health Science Center Beijing 100083 China 3Department of Physiology and Pathophysiology Peking University Health Science Center Beijing 100083 China 4Key Laboratory of Molecular Cardiovascular Science Ministry of Education Beijing 100083 China 4Key Laboratory of Molecular Cardiovascular Science Ministry of Education Beijing 100083 China
Aim:To investigate the role of the endogenous cystathionine γ-synthase(CSE)/hydrogen sulfide(H2S)pathway in vascular calcification in ***:A ratvascular calcification model was established by administration of vitamin... 详细信息
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急诊剖宫产术后切口感染病原学特点和影响因素分析
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中华医院感染学杂志 2017年 第7期27卷 1620-1622,1654页
作者: 方勇 郑懿 陈鹤 王颢 柳艳芳 洛阳市中心医院产科 河南洛阳471000
目的探究急诊剖宫产术后患者切口感染病原学特点并对其影响因素进行分析,为临床治疗提供参考依据。方法选取2012年3月-2014年12月在医院急诊科行急诊剖宫产的患者120例,对其临床资料进行统计学分析,同时对切口分泌物进行细菌培养和鉴定... 详细信息
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铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究
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人工晶体学报 2015年 第5期44卷 1156-1160,1170页
作者: 王冰心 徐家跃 金敏 何庆波 房永征 上海应用技术学院材料科学与工程学院 上海201418 昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司 苏州215300
使用取向Ga As籽晶,在直径2英寸的p BN坩埚中生长了2.5%Bi掺杂的Ga As晶体。能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到Ga As晶体中。X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42″。与未掺杂Ga As晶体相比,所得晶体... 详细信息
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LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文)
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人工晶体学报 2012年 第3期41卷 594-598页
作者: 金敏 徐家跃 房永征 何庆波 周鼎 申慧 上海应用技术学院材料科学与工程学院 上海200235
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨... 详细信息
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2 Experimental Nuclear Physics and Nuclear Chemistry——2 - 1 Positive-parity States in Doubly Odd Nucleus 104Ag
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IMP & HIRFL Annual Report 2012年 第1期 33-33,35页
作者: Wang Zhigang Zhang Yuhu Liu Minliang Zhou Xiaohong fang yongde zheng yong Zhang Ningtao Wang Jianguo Li Guangshun Qiang Yunhua Hua Wei Gao Bingshui Wu Xiaoguang He Chuangye zheng Yun Li Congbo
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