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Electronic structure, optical properties, and lattice dynamics in atomically thin indium selenide flakes
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Nano Research 2014年 第10期7卷 1556-1568页
作者： Juan F. Sanchez-Royo Suillermo Munoz-Matutano Mauro Brotons-Gisbert Juan P. Martinez-Pastor Alfredo Segura Andres Cantarero Rafael Mata Josep Canet-Ferrer Gerard Tobias enric canadell Jose Marques-Hueso Brian D. Gerardot ICMUV Instituto de Oencia de Materiales Universidad de Valencia P.O. Box 22085 46071 Valencia Spain MALTA-Consolider Team Institut de Ciencia dels Materials-Dpto. de Fisica Apficada Universitat de Valencia E-46100 Burjassot (Valencia) Spain Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC) Campus de la UAB 08193 Bellaterra Barcelona Spain Institute of Photonics and Quantum Science SUPA Hefiot-Watt University Edinburgh EH14 4AS UK
chalcogenide 单身者层的进步的叠与能为新地效果晶体管和 photonic 设备被利用的悦耳的性质产生二维的半导体的材料。然而， chalcogenide 家庭的一些成员的性质仍然保持未经勘探。铟硒化物(InSe ) 由于它在近红外线的、可控制的 p 类... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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