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Ellipsometric Study of SiOx Thin Films by Thermal Evaporation

Open Journal of Inorganic Chemistry 2016年第3期6卷 175-182页

作者： David Salazar Roberto Soto-Molina eder german lizarraga-medina Marco Antonio Felix Nicola Radnev Heriberto Márquez Departamento de óptica CICESE Ensenada México Instituto de Ingeniería Universidad Autónoma de Baja California Mexicali México

This paper presents a study of amorphous SiOx thin films by means of Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry (VASE) technique. Tauc Lorentz, Lorentz and Cauchy models have been used to obtain physical thickness and complex refractive index (n and k) from experimental data. In order to obtain a wide range to x stoichiometry values, the films were prepared by vacuum thermal evaporation of SiO on glass substrates, under different and controlled deposition conditions.

关键词： Ellipsometry Refraction Index SiOx Thin Films

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