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Up-scaling of Thin Film Silicon Solar Cells by Industrial Large-Area PECVd KAl Systems

Up-scaling of Thin Film Silicon Solar Cells by Industrial La...

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第十五届国际光伏科学与工程大会

作者： J.MeierI U.Kroll T.Roschek J.Spitznagel S.Benagli Ch.Ellert G.Androutsopoulos A.Hiigli W.Stein J.Springer O.Kluth d.borello M.Poppeller G.Biichel A.Bfichel Unaxis Unaxis Balzers AG 9496 Balzers Liechtenstein

Further progress in cell and module performance has been achieved. Up-scaling of the amorphous cell to modules by laser-scribing led to initial aperture efficiencies of 9.4 % (in KA1-M) for Asahi 30x22cm2 substrates and to 98.2 W for industrial size AFG 1.4 m substrates (in KAl-1200). Encapsulated a-Si:H single-junction p-i-n 1.4 m2 modules fabricated on AFG front TCO with back contacts of LPCVd ZnO pass successfully the German TU-V (Rheinland) damp heat test of 1000 h. Our 1.4 m a-Si:H modules show as well no decay after the thermal cycling test (according to the IEC-norm, performed by TUV). Microcrystalline silicon solar cells with open circuit voltage of 500 mV and cell efficiencies of 6.3 % tat absorber thickness of 1 um) have been obtained. In the industrial KAI-1200 uc-Si:H growth at around 5 A/sec has been achieved with good thickness homogeneity and crystallinity over the 1.4 m substrate area. Micromorph tandem test cells fabricated on Asahi U-type from SnO and in-house developed LPCVd front ZnO resulted in efficiencies of 10.7%, respectively of 10.1%. LPCVd ZnO confirms enhanced light-trapping properties for μc-Si:H bottom cells resulting in reduced μc-Si:H absorber layer thickness.

关键词： PECVd amorphous silicon microcrystalline silicon ZnO manufacturing

来源： cnki会议评论

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