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Low-k integration: Gas screening for cryogenic etching and plasma damage mitigation

Frontiers of Chemical Science and Engineering 2019年第3期13卷 511-516页

作者： Romain Chanson Remi Dussart Thomas Tillocher P. Lefaucheux christian dussarrat Jean Francois de M arneffe IMEC v.z.w. 3001 LeuvenBelgium GREMI/University of Orleans OrleansFrance Air Liquide Laboratories TsukubaJapan

The integration of porous organo-silicate low-k materials has met a lot of technical *** of the main issues is plasma-induced damage,occurring for all plasma steps involved during interconnects *** the present paper,we focus on porous SiOCH low-k damage mitigation using cryogenic temperature so as to enable micro-capillary *** aim is to protect the porous low-k from plasma-induced damage and keep the k-value of the material unchanged,in order to limit the RC delay of interconnexion levels while shrinking the microchip *** cryogenic temperature is used to condense a gas inside the porous low-k ***,the etching process is performed at the temperature of condensation in order to keep the condensate trapped inside the material during the *** the first part of this work,the condensation properties of several gases are screened,leading to a down selection of five ***,their stability into the porous structure is evaluated at different *** of them are used for plasma damage mitigation *** mitigation is effective and shows negligible damage for one of the gases at-50℃.

关键词： low-A nanotechnology micro-electronics cryo-etching plasma processing

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