咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 计算机科学与技术...

主题

  • 1 篇 vacancies
  • 1 篇 oxygen
  • 1 篇 storage
  • 1 篇 breakdown
  • 1 篇 oxide
  • 1 篇 random access me...

机构

  • 1 篇 department of ch...
  • 1 篇 nanoelectronic t...

作者

  • 1 篇 liu wenhsing
  • 1 篇 hsu yenya
  • 1 篇 sheu shyhshyuan
  • 1 篇 lee hengyuan
  • 1 篇 chen pangshiu
  • 1 篇 chen frederick t...
  • 1 篇 tsai chenhan
  • 1 篇 tsai mingjinn

语言

  • 1 篇 英文
检索条件"作者=chen PangShiu"
共 1 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
Resistance switching for RRAM applications
收藏
分享
引用
Science China(Information Sciences) 2011年 第5期54卷 1073-1086页
作者： chen Frederick T. LEE HengYuan HSU YenYa chen pangshiu LIU WenHsing TSAI chenHan SHEU ShyhShyuan TSAI MingJinn Nanoelectronic Technology Division Electronics and Optoelectronics Research Laboratories Industrial Technology Research Institute (ITRI) Department of Chemical and Materials Engineering Ming Shin University of Science and Technology
Resistive random access memory (RRAM or ReRAM) is a non-volatile memory (NVM) technology that consumes minimal energy while offering sub-nanosecond switching. In addition, the data stability against high temperature a... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件