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Statistical Analysis of Excitonic Transitions in Single,Free-Standing GaN Nanowires:Probing Impurity Incorporation in the Poissonian Limit

引用

Nano Research 2010年第12期3卷 881-888页

作者： carsten pfuller Oliver Brandt Timur Flissikowski Caroline Cheze Lutz Geelhaar Holger T.Grahn Henning Riechert Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik 5-7 HausvogteiplatzBerlin 10117Germany

Single,free-standing GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy have been investigated with low temperature *** quantitative analysis of the luminescence spectra of around 100 nanowires revealed that each nanowire exhibits its own individual spectrum.A significant fraction of nanowires exclusively emits at energies corresponding to either surface-donor-bound or free excitons,demonstrating that optical properties of individual nanowires are determined by a few impurity atoms *** number of impurities per nanowire and their location within the nanowires varies according to Poissonian statistics.

关键词： Single nanowires impurities doping excitonic luminescence scaling

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