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Structural and Electrical Characterization of PbS： Ni Nanocrystallites Synthesized by Chemical Bath Deposition

材料科学与工程（中英文A版） 2013年第2期3卷 92-103页

作者： Melissa Chaivez Portillol rene. gutierrez Pere Mois6s Araiza Garcia Marcial Zamora Tototzintle andres Facultad de Ciencias Qulmicas Benem~rita Universidad Aut6noma de Puebla C. U. Puebla 72001 Pue. Mexico Lab. Sintesis de Complejos Facultad de Ciencias Qulmicas Benem~rita Universidad Aut6noma de Puebla Puebla 72001 Pu~.M~xico ITESM Campus Puebla Via Atlixcayoti 2301 Colonia Reserva Territorial Atlixcayolt C.P. 72453 Mexico

The growth of nanocrystalline PbS films by chemical bath deposition (CBD) onto glass at a deposition temperature of 20 ± 2 °C is reported. Different doping levels were obtained by changing the volume of the reagent solution V[Ni2+] into the PbS growing solution were added. X-ray diffraction (XrD), Transmssion Microscopy Electronic (TEM), raman spectroscopy (rS), dark conductivity (DC) measurements was carried out to characterize the PbS films. XrD spectra displayed peaks at the angular positions: 2θ = (26.00, 30.07, 43.10, 51.00, 53.48), indicating growth on the zinc blende face. The grain size (GS) determined by x-rays diffraction of the undoped samples, was found to be ~36 nm, whereas with the doped sample is found to be in the range ~32-5 nm, as calculated by employing Scherer"s formula. By TEM, the doped-PbS materials were found crystalline films in the range 3.5-5 nm. rS exhibited band centred at ~135 cm-1 displaying only a PbS ZB structure, excluding the presence of any other material. The thermal energy for the films was determined from the slope of DC and the energy was estimated to be 0.15 to 0.5 eV. Finally, Gibbs free energy calculation for the V[Ni2+] doping-PbS process was also established.

关键词：纳米晶结构化学浴沉积 PBS 电气特性透射电子显微镜 X-射线衍射 X射线衍射光谱合成

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