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Energy Minigaps in the Quantum Well Wires with Periodical Lateral Surface Structures

Journal of Materials Science & Technology 1994年第5期10卷 381-385页

作者： Zhenyan DENG Hong SUN and shiwei gu (dept..of Applied Physics, shanghai Jiaotong University, shanghai, 200030, China)(To whom correspondence should be addressed)(present address: No .5 dept.. shanghai institute of ceramics.chinese academy. of sciences. shanghai Jiaotong Univ Shanghai China

Energy minigaps caused by lateral surface structures in quasi-one-dimensional GaAs/ AlAs quantum well wires are calculated with the variational and degenerate-perturbational *** a coordinate transformotion. the structured interfaces of the wires are transformed into planar ones so that the boundary conditions of the electronic wave functions can be satisfied exactly on the interfaces. The dependence of the energy minigaps on the lateral surface structures are discussed.

关键词： Semiconductor quantum wells

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