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Amorphous/Crystalline （n-n） Si Heterojunction Photodetector Made by Q-Switched 0.532-mm Laser Pulses with Novel Technique

引用

Chinese Physics Letters 2006年第2期23卷 370-373页

作者： Raid A. Ismail k.dhim A. Hubeatir abdullah k. abass Department of Applied Physics Ministry of Technology Baghdad Iraq Department of Optoelectronics University of Technology Baghdad Iraq

Amorphous/crystalline n-n-isotype Si heterojunetions are made by a pulsed Q-switched second harmonic generation Nd：YAG laser. The process includes melting and subsequently fast resolidification of a thin front layer of monocrystalline Si by laser pulses to create an amorphous layer （phase transition）. Different laser energy densities are used to form the amorphous layer on a monocrystalline Si substrate, the results of the electrical characteristics of the heterojunctions are dependent strongly on the laser energy density. Optoelectronic properties such as current-voltage, capacitance voltage, and spectral sensitivity are measured in a-Si/c-Si hereto junctions （in the absence of anti-reflecting coating and frontal grid contact） prepared by different laser energy densities. The built-in-potential values extracted from current-voltage measurements are close to the published results of （n-p） amorphous/crystalline hereto junction made by glow discharge and plasma enhanced chemical vapour deposition. Furthermore, examination of the formation of amorphous pattern on Si surface is carried out with the help of optical microscopy. Best photovoltaic performance is recognized to be at ,5.6 J/cm^2. The photodetector shows a wide spectral response, and the peak.response is at 780nm. On the other hand, this peak.is independent of laser energy.

关键词： CRYSTALLINE SILICON SOLAR-CELLS

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