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Controlled manipulation of conductive ferroelectric domain walls and nanoscale domains in BiFeO_(3) thin films

Journal of Materiomics 2022年第2期8卷 274-280页

作者： Dongfeng Zheng Guo Tian Yadong Wang Wenda Yang Luyong Zhang zoufei chen Zhen Fan Deyang chen Zhipeng Hou Xingsen Gao Qiliang Li Jun-Ming Liu Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials South China Academy of Advanced OptoelectronicsSouth China Normal UniversityGuangzhou510006China Songshan Lake Materials Laboratory Dongguan Guangdong523808China Department of Electrical and Computer Engineering George Mason UniversityFairfaxVirginia22030USA Laboratory of Solid State Microstructures and Innovation Center of Advanced Microstructures Nanjing UniversityNanjing210093China

Recently,there is a surge of research interest in configurable ferroelectric conductive domain walls which have been considered as possible fundamental building blocks for future electronic *** this work,by using piezoresponse force microscopy and conductive atomic force microscopy,we demonstrated the controlled manipulation of various conductive domain walls in epitaxial BiFeO_(3) thin films,*** domain walls(NDW)and charged domain walls(CDWs).More interestingly,a specific type of nanoscale domains was also identified,which are surrounded by highly conductive circular *** nano-scale domains can also be controlled created and erasured by applying local field via conductive probe,which allow nondestructive current readout of different domain states with a large on/off resistance ratio up to *** results indicate the potential to design and develop high-density non-volatile ferroelectric memories by utilizing these programable conductive nanoscale domain walls.

关键词： BiFeO_(3)thin film Conductive domain wall Nanoscale domain High density memory

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