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基于修正GTN模型的高压水泵主轴断裂失效检测

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机械设计与研究 2024年第2期40卷 163-167页

作者：梁倩李之达谢新武汉电力职业技术学院发电技术培训部武汉430079 武汉理工大学船海与能源动力工程学院武汉430063

主轴断裂失效会导致高压水泵内部高压水喷出,可能引起事故,严重者甚至影响人身安全。高压水泵主轴处于水泵的内部,检测参数的选择和测量存在很大的不确定性,且最为判断特征的轴体振动信号中,强噪声会干扰阈值信号的判断,影响失效检测结... 详细信息

主轴断裂失效会导致高压水泵内部高压水喷出,可能引起事故,严重者甚至影响人身安全。高压水泵主轴处于水泵的内部,检测参数的选择和测量存在很大的不确定性,且最为判断特征的轴体振动信号中,强噪声会干扰阈值信号的判断,影响失效检测结果的准确性。提出一种基于修正GTN模型的高压水泵主轴断裂失效检测方法。利用速度传感器测定高压水泵主轴的振动信号,通过小波包分析对振动信号去噪处理,结合修正GTN模型,搭建基于故障树的高压水泵主轴断裂失效检测模型,对高压水泵的主轴断裂失效情况检测。实验测试结果表明:所提方法具有较低的误检率以及较高的查全率,能够有效提升检测效率。

关键词：修正GTN模型高压水泵主轴断裂失效检测小波包分析

MXene负载CoP纳米棒高效电催化分解水制氢

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化工进展 2024年第6期43卷 3232-3239页

作者：万成凤李志达张春月路璐哈尔滨工业大学(深圳)土木与环境工程学院广东深圳518055 哈尔滨工业大学城市水资源与水环境国家重点实验室黑龙江哈尔滨150090

过渡金属磷化物在电催化分解水制氢方面具备巨大的潜力,结合MXene优异的导电性能和过渡金属磷化物高效的催化性能,有望大幅提升电解水效能。本研究通过熔盐刻蚀、水热、原位磷化的方法合成了一种在MXene材料Ti_(2)C上生长的CoP纳米棒(Co... 详细信息

过渡金属磷化物在电催化分解水制氢方面具备巨大的潜力,结合MXene优异的导电性能和过渡金属磷化物高效的催化性能,有望大幅提升电解水效能。本研究通过熔盐刻蚀、水热、原位磷化的方法合成了一种在MXene材料Ti_(2)C上生长的CoP纳米棒(CoP NRs/Ti_(2)C)。在碱性条件下(1mol/L KOH),反应电流密度为10mA/cm2时,CoP NRs/Ti_(2)C催化析氢反应(hydrogen evolution reaction,HER)和析氧反应(oxygen evolution reaction,OER)所需的过电位分别为105mV和320mV,远低于CoP纳米棒(157mV和350mV),且在HER和OER过程中具有更小的Tafel斜率(63.4mV/dec和54.6mV/dec)。在全解水过程中,CoP NRs/Ti_(2)C达到电流密度10mA/cm2时所需的外加电压仅为1.62V。综上,本文提供了一种高性能全解水电催化剂CoP NRs/Ti_(2)C,为促进过渡金属磷化物取代贵金属提供了一种新的策略。

关键词：电化学催化作用制氢催化剂载体磷化钴

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基于有机/无机双层忆阻器的人工光电神经元

光子学报 2024年第4期53卷 257-266页

作者：赖秉琳李志达李博文王弘禹张国成福建理工大学微电子技术研究中心福州350108

提出了一种基于Ag/IDTBT/ZnO/Si忆阻器的人工神经元器件,该器件开关比约为102~103且有较低的工作电压。该器件能够模拟泄漏集成点火的神经元模型。此外,研究了IDTBT浓度对人工神经元器件性能的影响。结果表明:IDTBT浓度的增加会导致薄... 详细信息

提出了一种基于Ag/IDTBT/ZnO/Si忆阻器的人工神经元器件,该器件开关比约为102~103且有较低的工作电压。该器件能够模拟泄漏集成点火的神经元模型。此外,研究了IDTBT浓度对人工神经元器件性能的影响。结果表明:IDTBT浓度的增加会导致薄膜厚度的增加,进而会使得神经元器件的阈值电压升高以及积分点火所需要的幅值电压变大。当有光照射之后,器件的阈值电压会明显降低。在器件储存了30天后重新测试,器件性能没有明显的变化,说明该器件具有良好的稳定性。本工作为促进神经形态系统的发展提供了有效的策略。

关键词：人工神经元忆阻器 ZnO IDTBT 光照

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电力工程中的全过程数字化转型分析

集成电路应用 2024年第2期41卷 174-175页

作者：李治达中国水利电力物资天津有限公司天津300202

阐述电力工程实施全过程数字化转型的特点,分析数字化技术在电力工程中的应用现状,提出转型举措,包括全面推进智能培训、全面应用智能技术、全面加强监控分析。

关键词：全过程数字化智能应用现场管理监控分析

基于薄膜晶体管的铁电/驻极体协同有机光电突触

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光子学报 2024年第7期53卷 227-234页

作者：李志达赖秉琳李博文王弘禹洪上超张国成福建理工大学微电子技术研究中心福州350108 龙岩学院数学与信息工程学院龙岩364012

基于薄膜晶体管结构,在铁电突触晶体管的基础上,增加了驻极体这一功能层,制备出一种铁电/驻极体突触晶体管。与传统的铁电突触晶体管相比,其开关比增大了一个数量级,阈值电压减少了10 V。薄膜表面的均方根粗糙度从2.95 nm降到0.66 nm,... 详细信息

基于薄膜晶体管结构,在铁电突触晶体管的基础上,增加了驻极体这一功能层,制备出一种铁电/驻极体突触晶体管。与传统的铁电突触晶体管相比,其开关比增大了一个数量级,阈值电压减少了10 V。薄膜表面的均方根粗糙度从2.95 nm降到0.66 nm,有利于载流子的传输。同时,在不同颜色的光照下,该器件呈现出4种不同的突触状态,多级光电突触的功能使其有望降低神经网络的复杂性。

关键词：人工突触薄膜晶体管铁电突触晶体管驻极体光电突触。

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Strain Amplitude Effect on the Viscoelastic Mechanics of Chloroprene Rubber

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Acta Mechanica Solida Sinica 2020年第3期33卷 392-402页

作者： Longfan Peng zhida li Yunyu li Institute of Transportation Wuhan University of TechnologyWuhan 430063HubeiChina

This paper establishes an empirical formula to predict the strain amplitude effect.A viscoelastic constitutive model-the superposition of a hyperelastic model and a viscoelastic model-is constructed based on the laws of *** Mooney Rivlin model and the Prony series are employed for uniaxial tension *** empirical formula is derived using a hysteresis loop;it obtains results that are in agreement with the experimental results of dynamic mechanical analysis(DMA).The empirical formula proposed in this paper has certain accuracy in predicting the dynamic modulus under different strain amplitudes.

关键词： Viscoelasticity Strain amplitude effect Storage modulus Loss modulus Hysteresis loop

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高速铣削GH4169合金的刀具磨损研究

工具技术 2024年第4期58卷 107-111页

作者：李治达金成哲胡子晖成材沈阳理工大学机械工程学院沈阳市110159 淮海工业集团有限公司

为研究高速铣削GH4169合金的刀具磨损问题,采用正交试验法基于DEFORM软件对GH4169合金的铣削加工过程进行了仿真,得到不同组刀具磨损仿真结果,并对仿真结果进行极差分析,得出不同铣削用量对刀具磨损的影响程度和最优方案。同时,对GH416... 详细信息

为研究高速铣削GH4169合金的刀具磨损问题,采用正交试验法基于DEFORM软件对GH4169合金的铣削加工过程进行了仿真,得到不同组刀具磨损仿真结果,并对仿真结果进行极差分析,得出不同铣削用量对刀具磨损的影响程度和最优方案。同时,对GH4169合金进行实际铣削加工试验,并与仿真结果进行对比分析,验证了仿真模型的有效性和可行性。选取不同的铣削用量,基于DEFORM有限元仿真软件,通过单因素试验法模拟GH4169合金的铣削过程,得出铣削用量对刀具磨损的影响规律。研究结果表明:对刀具磨损的影响程度由大到小依次为每齿进给量、切削速度和背吃刀量,并通过铣削试验验证了此规律的准确性。

关键词：高速铣削 GH4169合金铣削用量刀具磨损

基于内壁点云切片坐标的高速公路隧道整体变形监测方法

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粉煤灰综合利用 2024年第3期38卷 146-150,168页

作者：张志刚贾慧超李志达河北省高速公路延崇管理中心河北张家口075000

因高速公路隧道在使用过程中容易产生横向、纵向形变,易产生高速公路隧道安全问题,为此,提出一种基于内壁点云切片坐标的高速公路隧道整体变形监测方法。采用投影平面方式将内壁实现点云信息分层,令各段点云映射到中心位置的参考平面,... 详细信息

因高速公路隧道在使用过程中容易产生横向、纵向形变,易产生高速公路隧道安全问题,为此,提出一种基于内壁点云切片坐标的高速公路隧道整体变形监测方法。采用投影平面方式将内壁实现点云信息分层,令各段点云映射到中心位置的参考平面,提取内壁点云信息,运用最小二乘法拟合隧道平面,使用格网化内插值算出各点云内插值,通过各时间点网格内插值变化情况,判断出该隧道变形相关量,根据网格平面所在位置得出变形位置,完成隧道整体变形监测。结果表明:所提方法的监测信息数量和计算时间分别为9921个和6.21s,能够敏锐感知细微隧道变形,监测效率最高,具有较高实用性与有效性,该方法可有效提高高速公路隧道交通运行的安全性。

关键词：内壁点云切片坐标隧道变形监测横断面拟合内壁点云降维格网化内插值

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Effects of Electrode on Resistance Switching Properties of ZnMn_2O_4 Films Deposited by Magnetron Sputtering

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Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science) 2016年第6期31卷 1230-1234页

作者：王华 li zhida xu jiwen zhang yupei yang ling School of Materials Science and Engineering Guilin University of Electronic Technology Guilin 541004 China

ZnMn_2O_4 films for resistance random access memory（RRAM） were fabricated with different device structures by magnetron sputtering. The effects of electrode on I-V characteristics, resistance switching behavior, endurance and retention characteristics of ZnMn_2O_4 films were investigated. The ZnMn_2O_4 films, using p-Si and Pt as bottom electrode, exhibit bipolar resistive switching（BRS） behavior dominated by the space-charge-limited conduction（SCLC） mechanism in the high resistance state（HRS） and the filament conduction mechanism in the low resistance state（LRS）, but the ZnMn_2O_4 films using n-Si as bottom electrodes exhibit both bipolar and unipolar resistive switching behaviors controlled by the Poole-Frenkel（P-F） conduction mechanism in both HRS and LRS. Ag/ZnMn_2O_4/p-Si device possesses the best endurance and retention characteristics, in which the number of stable repetition switching cycle is over 1000 and the retention time is longer than 106 seconds. However, the highest RHRS/R_（LRS） ratio of 104 and the lowest V_（ON） and V_（OFF） of 3.0 V have been observed in Ag/ZnMn_2O_4/Pt device. Though the Ag/ZnMn_2O_4/n-Si device also possesses the highest RHRS/R_（LRS） ratio of 104, but the highest values of V_（ON）,V_（OFF）, RHRS and R_（LRS）, as well as the poor endurance and retention characteristics.

关键词： ZnMn2O4 resistance switching behavior electrode magnetron sputtering