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机构

  • 6 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 6 篇 李晋闽
  • 6 篇 董志远
  • 6 篇 赵有文
  • 6 篇 魏学成
  • 2 篇 段满龙
  • 1 篇 zhao youwen dong...

语言

  • 6 篇 中文
  • 1 篇 英文
检索条件"作者=Zhao Youwen Dong Zhiyuan Wei Xuecheng Duan Manlong Li Jinmin"
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Growth of ZnO Single Crystal by Chemical Vapor Transport Method
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Journal of Rare Earths 2006年 第Z1期24卷 4-7页
作者： zhao youwen dong zhiyuan wei xuecheng duan manlong li jinmin Institute of Semiconductor Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China Institute of Semiconductor Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China Institute of Semiconductor Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China Institute of Semiconductor Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China Institute of Semiconductor Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China
ZnO crystals were grown by CVT method in closed quartz tube under seeded condition. Carbon was used as a transport agent to enhance the chemical transport of ZnO in the growth process. ZnO single crystals were grown b... 详细信息
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升华法生长AlN体单晶初探
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Journal of Semiconductors 2006年 第7期27卷 1241-1245页
作者： 赵有文 董志远 魏学成 段满龙 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm... 详细信息
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化学气相传输法生长ZnO单晶
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Journal of Semiconductors 2006年 第2期27卷 336-339页
作者： 赵有文 董志远 魏学成 段满龙 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶... 详细信息
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化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制
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Journal of Semiconductors 2007年 第Z1期28卷 300-305页
作者： 赵有文 董志远 魏学成 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083
借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT法ZnO单晶生长的实验现象、晶体表面形貌和晶体... 详细信息
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气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制
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Journal of Semiconductors 2007年 第6期28卷 869-872页
作者： 魏学成 赵有文 董志远 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
研究了化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理,分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响.利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论研究了制约单晶生长速度和晶体质量的因素.我们得到的不... 详细信息
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ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响
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Journal of Semiconductors 2006年 第10期27卷 1759-1762页
作者： 魏学成 赵有文 董志远 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的晶格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性.通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果,分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响.
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物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
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Journal of Semiconductors 2007年 第2期28卷 204-208页
作者： 董志远 赵有文 魏学成 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的导电特性，并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0．9... 详细信息
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