检索结果-南通市图书馆

Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2024年第7期49卷 597-608页

作者：刘甜甜怀俊彦王书杰顾占彪张文雅史艳磊邵会民江苏省生产力促进中心南京210042 中国电子科技集团公司第十四研究所南京210039 固态微波器件与电路全国重点实验室石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述... 详细信息

作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。

关键词：氮化镓体单晶位错晶体生长钠助熔剂法

星载1MHz GaN LLC变换器低反向导通损耗控制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电工技术学报 2022年第24期37卷 6183-6190页

作者：杨勇宋大威顾占彪徐森锋张之梁南京航空航天大学航空电源重点实验室南京210016 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

氮化镓(GaN)器件反向导通压降一般超过1.8V,400W 1MHz LLC变换器一次侧GaN器件反向导通损耗超过单管总损耗15%。该文提出一种应用于1MHz星载GaNLLC变换器一次侧开关管的低反向导通损耗控制,根据GaN器件结电容放电时间调整死区,在保证实... 详细信息

氮化镓(GaN)器件反向导通压降一般超过1.8V,400W 1MHz LLC变换器一次侧GaN器件反向导通损耗超过单管总损耗15%。该文提出一种应用于1MHz星载GaNLLC变换器一次侧开关管的低反向导通损耗控制,根据GaN器件结电容放电时间调整死区,在保证实现零电压软开关(ZVS)的前提下缩短GaN器件反向导通时间以降低反向导通损耗。所提控制基于数学模型,对GaN器件等效输出结电容与LLC死区内谐振电流进行推导,计算LLC一次侧GaN器件结电容放电时间作为不同工况下死区调节依据。使用抗辐照GaN器件搭建400W 1MHz LLC变换器原理样机,验证所提死区控制。与固定死区(100ns)策略相比,一次侧GaN器件的单管损耗在10%负载与满载下分别降低32%与16%,整机效率分别提高1%和0.2%。

关键词： GaN 卫星应用反向导通损耗 LLC变换器死区

便携式充电CRM图腾柱功率因数校正过零检测延迟与交错相位误差补偿控制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电工技术学报 2022年第1期37卷 12-23页

作者：王生东李浩然顾占彪张之梁任小永南京航空航天大学自动化学院南京211106 安徽大学电气工程与自动化学院合肥230039 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

图腾柱功率因数校正(PFC)被广泛应用于电动汽车充电机以提高充电效率。该文提出考虑零电压开通(ZVS)裕度和轻载频率限制的全范围ZVS控制模型,全电压范围内实现完全ZVS开通。分析了电流过零检测(ZCD)延迟对输入电流总谐波畸变率(THD)的影... 详细信息

图腾柱功率因数校正(PFC)被广泛应用于电动汽车充电机以提高充电效率。该文提出考虑零电压开通(ZVS)裕度和轻载频率限制的全范围ZVS控制模型,全电压范围内实现完全ZVS开通。分析了电流过零检测(ZCD)延迟对输入电流总谐波畸变率(THD)的影响,提出基于在线时间计算模型的ZCD延迟补偿方法,满载电流THD降低1.4%。针对两相交错相位误差,提出考虑开关周期变化量的相位误差补偿方法,提高交错精度,满载THD进一步降低0.5%。最后,搭建了一台3kW便携式充电机,验证所提控制策略的有效性,充电机前级图腾柱PFC最高效率为98.8%,整机最高充电效率为96.6%,满载THD为2.4%,相比补偿前降低1.9%。

关键词：便携式充电临界电流模式图腾柱功率因数校正电流过零检测交错并联

宽带多节Wilkinson功率分配器的研制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子元件与材料 2013年第12期32卷 42-44,48页

作者：孙长友顾占彪王淼中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

利用Ansoft公司的Serenade软件对设计的宽带Wilkinson功分器模型进行仿真优化,制作了工作于1.5～12.0 GHz的宽带功率分配器,仿真结果和实物测试结果比较接近,并给出了导致偏差出现的几种可能原因。该功率分配器在整个频带范围内具有良... 详细信息

利用Ansoft公司的Serenade软件对设计的宽带Wilkinson功分器模型进行仿真优化,制作了工作于1.5～12.0 GHz的宽带功率分配器,仿真结果和实物测试结果比较接近,并给出了导致偏差出现的几种可能原因。该功率分配器在整个频带范围内具有良好的性能指标:插损≤0.63 dB,隔离度≥15 dB,输入驻波比≤1.52,输出驻波比≤1.5。

关键词： Wilkinson功率分配器宽带插损隔离度输入驻波比输出驻波比

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN超高频谐振反激变换器

电源学报 2020年第5期18卷 19-27页

作者：顾占彪许可唐家承李志斌张之梁任小永中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国航发控制系统研究所无锡214000 南京航空航天大学航空电源重点实验室南京211106

同等电压应力下的GaN器件相比Si器件具有更低的导通电阻Rds(on)(on-resistance)及门极充电电荷Qg,能够大幅降低驱动和开关损耗,有利于提高变换器效率及功率密度。在低压小功率场合的超高频VHF(very high freque-ncy)谐振反激变换器中,... 详细信息

同等电压应力下的GaN器件相比Si器件具有更低的导通电阻Rds(on)(on-resistance)及门极充电电荷Qg,能够大幅降低驱动和开关损耗,有利于提高变换器效率及功率密度。在低压小功率场合的超高频VHF(very high freque-ncy)谐振反激变换器中,提出了一种集成空芯变压器,大幅减小了印制电路板PCB(printed circuit board)面积,提高了功率密度。同时通过有限元分析FEA(finite element analysis)设计样机结构,确保变压器磁场不会影响其他器件。应用该方案搭建了3台5 V输入、5 V/2 W输出的超高频谐振反激变换器,分别为20-MHz Si方案、30-MHz GaN方案和50-MHz GaN方案。其中,50-MHz GaN方案样机实现了39.4 W/in3的功率密度,相比20-MHz Si方案提升41%。同时,在效率接近的前提下,3台变换器的高度都不足商用产品的一半。

关键词：氮化镓超高频高功率密度变压器集成

宽禁带器件在1kV高频直流谐振变换器中的应用与对比

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电源学报 2020年第1期18卷 150-161页

作者：顾占彪李志斌石伟杰唐家承张之梁任小永中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 南京航空航天大学航空电源重点实验室南京211106

与传统硅Si(silicon)功率器件相比,第3代宽禁带功率半导体器件,如碳化硅SiC(silicon carbide)和氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件,由于具有高功率密度、耐高温和抗辐照等特点,得到了越来越广泛的应用。分析了基于SiC和GaN的2种1 kV... 详细信息

与传统硅Si(silicon)功率器件相比,第3代宽禁带功率半导体器件,如碳化硅SiC(silicon carbide)和氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件,由于具有高功率密度、耐高温和抗辐照等特点,得到了越来越广泛的应用。分析了基于SiC和GaN的2种1 kV输入、32 V/3 kW输出的LLC谐振变换器,通过仿真和实验探究了变压器匝间电容对谐振电流的影响;并采取分离谐振腔、改变变压器绕组结构的方法,减小谐振电流的畸变,保证了开关管ZVS的实现。由于大匝比变压器难以平面化,2种变换器均采用原边串联、副边并联的矩阵变压器,实现自动均压、均流,降低电压和电流应力,提高功率密度和热稳定性。为了进一步提高效率,GaN LLC变换器副边采用同步整流。最后,本文从拓扑、损耗、整机尺寸、可靠性以及功率密度等方面对比分析了这2种变换器的优缺点,为器件的选择提供了参考依据。

关键词：宽禁带器件 SiC GaN DC-DC 高压谐振变换器