检索结果-南通市图书馆

Optimization of recess-free AlGaN/GaN Schottky barrier diode by TiN anode and current transport mechanism analysis

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2022年第6期43卷 51-58页

作者： Hao Wu Xuanwu Kang yingkui zheng Ke Wei Lin Zhang Xinyu Liu Guoqi Zhang The Institute of Future Lighting Academy for Engineering and TechnologyFudan University(FAET)Shanghai 200433China Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences Beijing 100029China Beijing Const-Intellectual Core Technology Co.Ltd Beijing 100029China

:In this work,the optimization of reverse leakage current(IR)and turn-on voltage(VT)in recess-free AlGaN/GaN Schottky barrier diodes(SBDs)was achieved by substituting the Ni/Au anode with TiN *** explain this phenomenon,the current transport mechanism was investigated by temperature-dependent current–voltage(I–V)*** forward bias,the current is dominated by the thermionic emission(TE)mechanisms for both ***,the presence of inhomogeneity of the Schottky barrier height(qφb)is proved by the linear relationship between qφb and ideality *** reverse bias,the current is dominated by two different mechanisms at high temperature and low temperature,*** high temperatures,the Poole–Frenkel emission(PFE)induced by nitrogen-vacancy(VN)is responsible for the high IR in Ni/Au *** TiN anode,the IR is dominated by the PFE from threading dislocation(TD),which can be attributed to the decrease of VN due to the suppression of N diffusion at the interface of Schottky *** low temperatures,the IR of both diodes is dominated by Fowler–Nordheim(FN)***,the VN donor enhances the electric field in the barrier layer,thus causing a higher IR in Ni/Au anode than TiN anode,as confirmed by the modified FN model.

关键词： AlGaN/GaN Schottky barrier diode TiN current transport mechanism

14.2W/mm（35.5W） Internally Matched AlGaN/GaN HEMTs at 8 GHz and 48 Ⅴ Drain Bias

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

14.2W/mm（35.5W） Internally Matched AlGaN/GaN HEMTs at 8 GH...

2011 World Congress on Engineering and Technology(CET 2011)

作者： zheng yingkui PENG Mingzeng Microwave Device and IC Department Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences Beijing China

1.25 and 2.5 mm gate width AlGaN/GaN HEMTs were fabricated, and 1.25 mm gate width devices were tested with the load-pull power test system. 6W/mm power was obtained at 8 GHz under pulsed conditions and 25 Ⅴ drain bias. 2.5 mm internally matched were designed and packaged, and 45.54 dBm （35.5 W total and 14.2 W/mm） output power was obtained at 8 GHz.

关键词： component internally matched device GaN AlGaN HEMTs

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

俄罗斯的文学流派及其特点

沈阳师范大学学报（社会科学版） 2020年第6期44卷 64-69页

作者：郑英魁辽宁对外经贸学院外国语学院辽宁大连116052

俄罗斯文学在长期的历史发展进程中形成了独立、系统、完整的文学理论体系,可以称其为文学流派。文学流派与文学艺术手段密切相关,文学流派既是很多作家多姿多彩的精神美学创作原则的综合,也是系列文学团体、联盟运用美学的创作方法进... 详细信息

俄罗斯文学在长期的历史发展进程中形成了独立、系统、完整的文学理论体系,可以称其为文学流派。文学流派与文学艺术手段密切相关,文学流派既是很多作家多姿多彩的精神美学创作原则的综合,也是系列文学团体、联盟运用美学的创作方法进行创作的集体智慧的结晶。俄罗斯文学流派是在欧洲文学发展的基础上不断革新而面貌一新、异军突起的。在俄罗斯的文学历史上,产生过很多种文学流派,每个流派都有自己的突出特点。总体来讲,在俄罗斯有独立体系、颇有世界影响力的文学流派主要有6种,即古典主义、浪漫主义、感伤主义、自然主义、现实主义、象征主义。

关键词：俄罗斯文学流派特点

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

通用言语交际类型及其意义研究

辽宁大学学报（哲学社会科学版） 2016年第1期44卷 160-163页

作者：郑英魁辽宁大学外国语学院辽宁沈阳110036

人们的交往实际上是相互间思维的沟通,思维的沟通是人与人之间通过言语、行为或其他能够表达思维的方法而进行的言语交际方式。言语交际方式分为两大类:一、有声言语交际方式;二、无声言语交际方式。有声言语交际方式分为四小类:直接交... 详细信息

人们的交往实际上是相互间思维的沟通,思维的沟通是人与人之间通过言语、行为或其他能够表达思维的方法而进行的言语交际方式。言语交际方式分为两大类:一、有声言语交际方式;二、无声言语交际方式。有声言语交际方式分为四小类:直接交际型、机械交际型、录音交际型和拟声交际型。无声言语交际分为四小类:笔头交际型、身势交际型、表情交际型、符号交际型。此项研究目的在于使人们的日常交际方式更加趋于统一、规范和系统,使言语交际模式更加符合现代通用语言理论范畴和统一实践标准,对类似相关性研究具有可借鉴性,排除民族言语交际障碍,找到言语交际空缺。

关键词：语言通用言语交际类型交际方式

Device Characteristics Comparison Between GaAs Single and Double Delta-Doped Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2004年第3期25卷 247-251页

作者：陈震郑英奎刘新宇和致经吴德馨中国科学院微电子研究所北京100029

The Al 0.24Ga 0.76As/In 0.22Ga 0.78As single delta-doped PHEMT (SH-PHEMT) and double delta-doped PHEMT (DH-PHEMT) are fabricated and *** on the employment of double heterojunction,double delta doped design,the DH-PHEMT can enhance the carrier confinement,increase the electron gas density,and improve the electron gas distribution,which is beneficial to the device performance.A high device linearity,high transconductance over a large gate voltage swing,high current drivability are found in *** improvements suggest that DH-PHEMT is more suitable for high linearity applications in microwave power device.

关键词： pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) delta dope linearity

0.25μm Gate-Length AlGaN/GaN Power HEMTs on Sapphire with f_T of 77GHz

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2006年第6期27卷 963-965页

作者：郑英奎刘果果和致经刘新宇吴德馨中国科学院微电子研究所北京100029

MOCVD-grown 0.25μm gate-length AlGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） are fabricated on sapphire substrates. A peak extrinsic transconductance of 250mS/mm and a unity current gain cutoff frequency （fT） of 77GHz are obtained for a 0.25μm gate-length single finger device. These power devices exhibit a maximum drain current density as high as 1.07A/mm. On-chip testing yielded a continuous-wave output power of 27. 04dBm at 8GHz with an associated power-added efficiency of 26. 5% for an 80 × 10μm device.

关键词： GaN sapphire substrate high electron mobility transistor

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

普京外交政策发展的中国走向

辽宁大学学报（哲学社会科学版） 2017年第2期45卷 153-160页

作者：弗.费.佩切利察郑英魁俄罗斯远东联邦大学国际关系学院俄罗斯符拉迪沃斯托克市690091 辽宁大学外国语学院辽宁沈阳110036

2003年普京任俄罗斯国家元首后,使莫斯科对东方的外交政策发生了转变,俄罗斯领导层特别高度重视对华关系和密切合作,即公开表明了俄罗斯新一届政府不仅要在俄罗斯,也要在中国扩大自己的影响力。有力地促使中俄战略伙伴关系的建立与巩固... 详细信息

2003年普京任俄罗斯国家元首后,使莫斯科对东方的外交政策发生了转变,俄罗斯领导层特别高度重视对华关系和密切合作,即公开表明了俄罗斯新一届政府不仅要在俄罗斯,也要在中国扩大自己的影响力。有力地促使中俄战略伙伴关系的建立与巩固。俄罗斯和中国之间的战略伙伴关系从政治宣言变成了具体的政治实践,进一步巩固了国际人文关系,建立了多方秩序。在此基础上,俄罗斯所宣布的对外政策方针的稳定性和可以预见性不仅仅停留在纲领性文件上,而且要在中俄关系的双方合作和解决国际问题中通过合作模式加以实施。这种合作模式在国际政治舞台上不仅表明了双方反霸权主义的态度,更尤以这些年的实践经验证明了普京对外政策的中国导向是正确的。

关键词：普京总统中俄战略伙伴关系中俄贸易俄美关系

AlGaN/GaN HEMT凹栅槽结构器件的频率特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2018年第6期43卷 432-436,467页

作者：肖洋张一川张昇郑英奎雷天民魏珂西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院西安710071 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

采用一系列不同栅长和结构的T型栅器件来研究凹栅槽结构抑制短沟道效应和提高频率特性的作用。随着栅长不断缩短,短沟道效应逐渐明显,栅长从300 nm缩短至100 nm时,亚阈值摆幅逐渐增大,栅对沟道载流子的控制变弱,且器件出现软夹断现象。... 详细信息

采用一系列不同栅长和结构的T型栅器件来研究凹栅槽结构抑制短沟道效应和提高频率特性的作用。随着栅长不断缩短,短沟道效应逐渐明显,栅长从300 nm缩短至100 nm时,亚阈值摆幅逐渐增大,栅对沟道载流子的控制变弱,且器件出现软夹断现象。凹栅槽结构可以降低器件的亚阈值摆幅,提高开关比,栅长100 nm常规结构器件的亚阈值摆幅为140 mV/dec,开关比为106,而凹栅槽结构器件的亚阈值摆幅下降为95 mV/dec,开关比增大为107,凹栅槽结构明显抑制了短沟道效应。在漏源电压为20 V时,100 nm栅长的凹栅槽结构器件的截止频率和最高振荡频率达到了65.9和191 GHz,同常规结构相比,分别提高了5.78%和4.49%。由于凹栅槽结构缩短了栅金属到二维电子气（2DEG）沟道的间距,增大了纵横比,所以能够改善器件的频率特性。

关键词： AlGaN/GaN HEMT 短沟道效应凹栅槽频率特性

钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2008年第2期29卷 329-333页

作者：李诚瞻刘丹郑英奎刘新宇刘键魏珂和致经中国科学院微电子研究所北京100029

提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预... 详细信息

提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaNHEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AlGaN表面,观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AlGaN/GaNHEMTs性能的主要原因.

关键词： AlGaN/GaN HEMTs 钝化表面预处理初始氧化层