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川木香煨制前后主要药效成分在人工胃、肠液及大鼠离体胃肠共孵液中的稳定性研究

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中国中药杂志 2012年第6期37卷 785-789页

作者：毛茜傅超美胡慧玲王战国何瑶包希福成都中医药大学药学院中药材标准化教育部重点实验室中药资源系统研究与开发利用省部共建国家重点实验室培育基地四川成都611137 四川大学生命科学学院四川成都610064 四川省茂县羌医药研究所四川茂县623200

目的:考察川木香煨制前后木香烃内酯(costunolide,COS)和去氢木香内酯(dehydrocostus lactone,DEH)在人工胃、肠液中的稳定性,及其在大鼠离体胃、小肠、结肠共孵液中的吸附、摄取或降解特征。方法:采用高效液相色谱法测定川木香煨制前后... 详细信息

目的:考察川木香煨制前后木香烃内酯(costunolide,COS)和去氢木香内酯(dehydrocostus lactone,DEH)在人工胃、肠液中的稳定性,及其在大鼠离体胃、小肠、结肠共孵液中的吸附、摄取或降解特征。方法:采用高效液相色谱法测定川木香煨制前后COS和DEH在人工胃、肠液及大鼠离体胃肠共孵液中的质量浓度,以大鼠离体胃、小肠、结肠与药物共孵的方法考察其物理吸附、摄取或降解参数。结果:川木香煨制前后COS在人工胃液稳定性较差,平均降解常数分别为0.758 0,0.531 1,煨制后稳定性有所提高,具统计学意义(P<0.01);川木香煨制前后COS和DEH在大鼠离体胃、小肠和结肠中的吸附、摄取或降解量(2 h)均较大,其中煨制前后COS和DEH在不同部位均有不同程度的差异。结论:川木香煨制前后COS在人工胃液中均不稳定,煨制后稳定性有所提高;大鼠离体胃、小肠、结肠对川木香煨制前后的COS和DEH均有明显的吸附、摄取或降解,并在不同部位有差异;为川木香煨制前后药效成分的吸收机制研究提供了参考。

关键词：川木香煨制木香烃内酯去氢木香内酯高效液相色谱法稳定性

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FlexRay总线在电池储能系统中的应用

计算机工程 2014年第11期40卷 260-265页

作者：马建业黄梅王占国刘彪盛大双北京交通大学电气工程学院北京100044 北京市亿能通电子有限公司北京100044

当前大规模储能电池管理系统内部通信总线普遍采用CAN总线,使用Flex Ray总线作为其内部总线替代传统的CAN总线,能较好地满足大规模电池储能系统(BESS)内部通信的要求。分析CAN总线用于大规模储能电池管理系统存在的不足以及Flex Ray总... 详细信息

当前大规模储能电池管理系统内部通信总线普遍采用CAN总线,使用Flex Ray总线作为其内部总线替代传统的CAN总线,能较好地满足大规模电池储能系统(BESS)内部通信的要求。分析CAN总线用于大规模储能电池管理系统存在的不足以及Flex Ray总线的优势。在BESS通信架构的基础上,介绍储能电池管理系统的通信架构,讨论Flex Ray总线在大规模储能电池管理系统中的应用及主要方案。运用Network Designer与*** Ray仿真验证Flex Ray通信系统在大规模储能电池管理系统中应用的可行性,结果表明,与CAN总线相比,Flex Ray总线用于储能电池管理系统中可以取得更好的效果。

关键词： FlexRay总线 CAN总线电池储能系统储能电池管理系统 FlexRay参数设计通信仿真

MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC

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Journal of Semiconductors 2006年第9期27卷 1521-1525页

作者：王晓亮胡国新马志勇肖红领王翠梅罗卫军刘新宇陈晓娟李建平李晋闽钱鹤王占国中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院微电子研究所北京100029

AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structures with a high-mobility GaN thin layer as a channel are grown on high resistive 6H-SiC substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The HEMT structure exhibits a typical two-dimensional electron gas （2DEG） mobility of 1944cm^2/（V·s） at room temperature and 11588cm^2/（V ·s） at 80K with almost equal 2DEG concentrations of about 1.03 × 10^13 cm^-2. High crystal quality of the HEMT structures is confirmed by triple-crystal X-ray diffraction analysis. Atomic force microscopy measurements reveal a smooth AlGaN surface with a root-mean-square roughness of 0.27nm for a scan area of 10μm × 10μm. HEMT devices with 0.8μm gate length and 1.2mm gate width are fabricated using the structures. A maximum drain current density of 957mA/mm and an extrinsic transconductance of 267mS/mm are obtained.

关键词： A GaN/GaN HEMT MOCVD power device SiC substrates

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汽车噪声国标与欧标法规差异分析

汽车实用技术 2020年第18期45卷 233-235页

作者：王占国程杰何闯陕西重型汽车有限公司汽车工程研究院陕西西安710200

文章主要从标准技术条款分析GB1495-2002与ECE R5103系列法规之间的差异,对四轮及以上内燃机车型的加速行驶时车外噪声试验档位选择、接近速度确定、加速行驶操作、测量结果处理及噪声限值进行对比,为相关标准的制定提供参考。

关键词：加速行驶车外噪声技术要求差异分析

氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文)

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发光学报 2001年第S1期22卷 33-37页

作者：韩培德刘祥林王晓晖汪度陆大成王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室北京100083

用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当... 详细信息

用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当衬底表面是背籽晶面时 ,生长的氮化镓薄膜则为 ( 0 0 0 1 )取向。

关键词：极性 GaN/Al2O3 MOVPE

InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性

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Journal of Semiconductors 2005年第Z1期26卷 184-188页

作者：钱家骏叶小玲陈涌海徐波韩勤王占国中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京100083

利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射... 详细信息

利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K.研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论.

关键词：应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点量子点激光器 MBE生长

Ga As/Al Ga As量子级联激光器

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Journal of Semiconductors 2005年第3期26卷 624-626页

作者：刘俊岐路秀真郭瑜刘峰奇王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083

利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9μm的 GaAs/Al0 45 Ga0 55 As量子级联激光器.条宽 35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.

关键词：量子级联激光器分子束外延有源区注入区

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7.8μm二级分布反馈量子级联激光器

Journal of Semiconductors 2005年第3期26卷 627-629页

作者：郭瑜刘峰奇刘俊岐路秀真王占国中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京100083

报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs／In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈，激射工作波长为7．8μm，在1％占空比，5kHz频率的工作条件下，在93～173K的温度范围内，单模发射光谱边模抑制比均超... 详细信息

报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs／In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈，激射工作波长为7．8μm，在1％占空比，5kHz频率的工作条件下，在93～173K的温度范围内，单模发射光谱边模抑制比均超过20dB，调谐系数dλ／dT=0．5125nm／K．在93K时，峰值功率为30mW，直到153K时，峰值光功率仍达到12mW．

关键词：量子级联激光器分布反馈分子束外延应变补偿

InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究

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低温物理学报 2017年第3期39卷 31-34页

作者：杨新荣王海飞赵晶周晓静徐波王占国邯郸学院机电学院中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室

制备了InAs/InAlGaAs/InP（001）量子线结构,利用变温光致发光谱（PL）研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K;5K时峰位红移;在35K;5K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加... 详细信息

制备了InAs/InAlGaAs/InP（001）量子线结构,利用变温光致发光谱（PL）研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K;5K时峰位红移;在35K;5K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加,峰位再次发生红移.分析认为这种S型峰位的变化可能是由于不同温度下载流子的不同复合机制所引起的.

关键词：量子线光致发光谱 S型峰位变化