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First-principles study on electronic structure and optical properties of N-doped P-type β-Ga_2O_3

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2012年第1期55卷 19-24页

作者： zhang liying yan jinliang zhang yijun li ting ding xingwei School of Physics Ludong University Yantai 264025 China

The band structure, density of states, electron density difference and optical properties of intrinsic β-Ga2O3 and N-doped β-Ga2O3 were calculated using first-principles based on density functional theory. After N doping, the band gap decreases, shallow acceptor impurity levels are introduced over the top of the valence band and the absorption band edge is slightly red-shifted compared to that of the intrinsic one. The anisotropic optical properties are investigated by means of the complex dielectric function, which are explained by the selection rule of the band-to-band transitions. All calculation results indicate that N-doping is a very promising method to get P-type β-Ga2O3.

关键词： P-type β-Ga2O3 N-doped β-Ga2O3 first-principles electronic structure optical properties

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Effect of substrate temperature on the properties of deep ultraviolet transparent conductive ITO/Ga_2O_3 films

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Journal of Semiconductors 2012年第1期33卷 32-36页

作者： li ting yan Jin1iang ding xingwei zhang liying School of Physics Ludong University Yantai 264025China

ITO/Ga2O3 bi-layer films were deposited on quartz glass substrates by magnetron sputtering. The effect of substrate temperature on the structure, surface morphology, optical and electrical properties of ITO/Ga2O3 films was investigated by an X-ray diffractometer, a scanning electron microscope, a double beam spectrophotometer and the Hall system, respectively. The structural characteristics showed a dependence on substrate temperature. The resistivity of the films varied from 6.71 × 10^-3 to 1.91× 10^-3 Ω·cm as the substrate temperature increased from 100 to 350℃. ITO （22 nm）/Ga2O3 （50 nm） films deposited at 300℃ exhibited a low sheet resistance of 373.3 Ω/□ and high deep ultraviolet transmittance of 78.97% at the wavelength of 300 nm.

关键词： transparent conductive film bi-layer films deep ultraviolet magnetron sputtering gallium oxide indium tin oxide

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