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Coherent-interface-induced strain in large lattice-mismatched materials:A new approach for modeling Raman shift

Nano Research 2022年第3期15卷 2405-2412页

作者： Andrian V.Kuchuk Fernando Mde Oliveira Pijush K.Ghosh yuriy i.mazur Hryhorii V.Stanchu Marcio D.Teodoro Morgan E.Ware Gregory J.Salamo institute for Nanoscience and Engineering University of ArkansasFayettevilleAR 72701USA Departamento de Física Universidade Federal de São CarlosSão CarlosSP 13565-905Brazil Department of Electrical Engineering University of ArkansasFayettevilleAR 72701USA

Strain engineering as one of the most powerful techniques for tuning optical and electronic properties of iii-nitrides requires reliable methods for strain investigation.in this work,we reveal,that the linear model based on the experimental data limited to within a small range of biaxial strains(ich is widely used for the non-destructive Raman study of strain with nanometer-scale spatial resolution is not valid for the binary wurtzite-structure group-iii nitrides GaN and AlN.importantly,we found that the discrepancy between the experimental values of strain and those calculated via Raman spectroscopy increases as the strain in both GaN and AlN increases.Herein,a new model has been developed to describe the strain-induced Raman frequency shift in GaN and AlN for a wide range of biaxial strains(up to 2.5%).Finally,we proposed a new approach to correlate the Raman frequency shift and strain,which is based on the lattice coherency in the epitaxial layers of superlattice structures and can be used for a wide range of materials.

关键词： Raman spectroscopy strain lattice coherency iii-nitrides high-resolution X-ray diffraction(HRXRD)

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Site-controlled formation of inGaAs quantum nanostructures——Tailoring the dimensionality and the quantum confinement

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Nano Research 2013年第4期6卷 235-242页

作者： Baolai Liang Ping-Show Wong Thai Tran Vitaliy G. Dorogan yuriy i. mazur Morgan E. Ware Gregory J. Salamo Chih-Kang Shih Diana L. Huffaker California NanoSystems institute University of California at Los Angeles CA 90095 USA Department of Physics University of Texas at Austin Austin Texas 78712 USA Department of Physics University of Arkansas Fayetteville AR 72701 USA

我们在量磁盘(QDks ) controllably 在顶(001 ) 上形成了的 inGaAs 上报导 nano 有图案的 GaAs 金字塔形的平台的方面。QDks 展览有特殊方面和改变的尺寸的金字塔形的形状，取决于 GaAs 金字塔形的缓冲区和扔的 inGaAs 的数量。QDks 的... 详细信息

我们在量磁盘(QDks ) controllably 在顶(001 ) 上形成了的 inGaAs 上报导 nano 有图案的 GaAs 金字塔形的平台的方面。QDks 展览有特殊方面和改变的尺寸的金字塔形的形状，取决于 GaAs 金字塔形的缓冲区和扔的 inGaAs 的数量。QDks 的形成被 inGaAs 层并且此后的增生解释小 inGaAs 岛的结合。整体 QDks 和激子的光致发光(PL ) 特征一起单个 QDks 展示证明我们可以完成转变从零维(0D ) 到二维(2D ) 有增加 QDk 的量结构尺寸。这转变提供灵活性连续地定制维数，随后，经由为设备应用的控制地点的自我装配的取向附生的半导体 nanostructures 的量监禁基于单个量组织。

关键词：半导体纳米结构 inGaAs 量子限制效应控制设备站点裁缝量子结构量子磁盘

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