检索结果-南通市图书馆

一重技术 1994年第3期 108-115页

作者： yuji shimoyama Makoto Ehara Takehisa Nakamura Saburo Ikeda 孙传起

千叶工厂的新4号连续退火线用于生产600～1067mm宽、0.15～0.4mm厚、全部等级的轧制镀锡原板,包括一台两机座4辊多功能冷轧机和一座板材加工速度可达1000m/min的热处理炉,使用超低碳钢和铝镇静钢生产T_1～T_6低硬度板材。

关键词：连续退火线镀锡板轧制钢板冷轧机热处理炉

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Contracted interlayer distance in graphene/sapphire heterostructure

引用

Nano Research 2015年第5期8卷 1535-1545页

作者： Shiro Entani Liubov Yu. Antipina Pavel V. Avramov Manabu Ohtomo Yoshihiro Matsumoto Norie Hirao Iwao shimoyama Hiroshi Naramoto yuji Baba Pavel B. Sorokin Seiji Sakai Advanced Science Research Center Japan Atomic Energy Agency Tokai Ibaraki 319-1195 Japan Technological Institute for Superhard and Novel Carbon Materials Troitsk Moscow 142190 Russia Moscow Institute of Physics and Technology Dolgoprudny Moscow 141700 Russia Siberian Federal University 79 Svobodniy pr. Krasnoyarsk 660041 Russia Ouantum Beam Science Directorate Japan Atomic Energy Agency Tokai Ibaraki 319-1195 Japan National University of Science and Technology MISiS Moscow 119049 Russia

Direct growth of graphene on insulators is expected to yield significant improvements in performance of graphene-based electronic and spintronic devices. In this study, we successfully reveal the atomic arrangement and electronic properties of a coherent heterostructure of single-layer graphene and α-Al2O3（0001）. The analysis of the atomic arrangement of single-layer graphene on α-Al2O3（0001） revealed an apparentcontradiction. The in-plane analysis shows that single-layer graphene grows not in a single-crystalline epitaxial manner, but rather in polycrystalline form, with two strongly pronounced preferred orientations. This suggests relatively weak interfacial interactions are operative. However, we demonstrate that unusually strong physical interactions between graphene and α-Al2O3（0001） exist, as evidenced by the small separation between the graphene and the α-Al2O3（0001） surface. The interfacial interaction is shown to be dominated by the electrostatic forces involved in the graphene n-system and the unsaturated electrons of the topmost O layer of α-Al2O3（0001）, rather than the van der Waals interactions. Such features causes graphene hole doping and enable the graphene to slide on the α-Al2O3（0001） surface with only a small energy barrier despite the strong interfacial interactions.

关键词： graphene sapphire chemical vapor deposition graphene/insulator interface

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：