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High-performance 4H-SiC p-i-n ultraviolet avalanche photodiodes with large active area

Chinese Optics Letters 2019年第9期17卷 1-4页

作者： Xingye Zhou Xin Tan Yuangang Wang Xubo Song Tingting Han Jia Li Weili Lu Guodong Gu Shixiong Liang yuanjie lii Zhihong Feng National Key Laboratory of ASIC Hebei Semiconductor Research Institute

Ultraviolet(UV) detectors with large photosensitive areas are more advantageous in low-level UV detection applications. In this Letter, high-performance 4 H-SiC p-i-n avalanche photodiodes(APDs) with large active area(800 μm diameter) are reported. With the optimized epitaxial structure and device fabrication process,a high multiplication gain of 1.4 × 10^6 is obtained for the devices at room temperature, and the dark current is as low as ~10 p A at low reverse voltages. In addition, record external quantum efficiency of 85.5% at 274 nm is achieved, which is the highest value for the reported Si C APDs. Furthermore, the rejection ratio of UV to visible light reaches about 10^4. The excellent performance of our devices indicates a tremendous improvement for largearea SiC APD-based UV detectors. Finally, the UV imaging performance of our fabricated 4 H-SiC p-i-n APDs is also demonstrated for system-level applications.

关键词： Ultraviolet(UV) 4H-SiC p-i-n photodiodes

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高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制

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半导体技术 2018年第10期43卷 740-744,786页

作者：田秀伟马春雷刘沛韩婷婷宋旭波吕元杰中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国航天标准化与产品保证研究院北京100071 专用集成电路重点实验室石家庄050051

研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为... 详细信息

研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积（ALD）厚度为25 nm的Hf O2作为器件的栅下绝缘介质层。测试结果表明,在栅偏压为0 V时,器件的开态导通电阻仅为65Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 m A/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V。

关键词：氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 漏源饱和电流密度离子注入击穿电压

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蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT

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半导体技术 2019年第6期44卷 433-437页

作者：顾国栋敦少博郭红雨韩婷婷吕元杰房玉龙张志荣冯志红中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 专用集成电路重点实验室石家庄050051

研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3μm的增强型AlGaN/GaN HEMT。所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导... 详细信息

研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3μm的增强型AlGaN/GaN HEMT。所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导通电阻为2.7Ω·mm。器件的电流增益截止频率和最高振荡频率分别为36.1和65.2 GHz。在10 GHz下进行微波测试,增强型AlGaN/GaN HEMT的最大输出功率密度达到5.76 W/mm,最大功率附加效率为49.1%。在同一材料上制备的耗尽型器件最大输出功率密度和最大功率附加效率分别为6.16 W/mm和50.2%。增强型器件的射频特性可与在同一晶圆上制备的耗尽型器件相比拟。

关键词： AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 增强型低损伤刻蚀栅凹槽射频特性

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PBL教学法在留学生《组织胚胎学》教学实践中的应用探讨

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中国医学教育技术 2018年第5期32卷 581-584页

作者：李媛洁寇博张晓田田宏韩洋洋高丹吕海侠许颖张梦原周劲松西安交通大学医学部基础医学院人体解剖与组织胚胎学系西安710061 西安交通大学第一附属医院心血管外科西安710061 西安交通大学神经生物研究所西安710061 西安交通大学外国语学院西安710049 西安科技大学人文与外国语学院西安710054

近年来,越来越多的留学生来西安交通大学学习医学,留学生教学已成为该校医学部一项重要的教学任务。《组织学与胚胎学》是留学生基础医学学习阶段的常规必修课程。我们发现以教师授课为中心的教学模式在课堂上不能发挥学生学习的主观能... 详细信息

近年来,越来越多的留学生来西安交通大学学习医学,留学生教学已成为该校医学部一项重要的教学任务。《组织学与胚胎学》是留学生基础医学学习阶段的常规必修课程。我们发现以教师授课为中心的教学模式在课堂上不能发挥学生学习的主观能动性,也不完全适合留学生教学,而PBL教学法注重激发学生的自主学习意识,并鼓励学生在已有知识框架中构建新的知识体系,其与留学生自身学习的特点相一致。在该校长学制和五年制PBL教学方面积累的经验基础上,设计与该校留学生教学大纲相适应的英文案例,培训指导教师,并顺利开展了PBL教学。实践表明,在留学生中开展PBL教学,不仅丰富了教学形式,而且提高了教学效果。

关键词：组织胚胎学留学生 PBL教学案例撰写

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