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Development of Ferroelectric RAM （FRAM） for Mass Production
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Journal of Physical Science and Application 2015年 第1期5卷 29-32页
作者： Takashi Eshita Wensheng Wang Kou Nakamura Souichirou Ozawa youichi okita Satoru Mihara Yukinobu Hikosaka Hitoshi Saito Junichi Watanabe Ken'ichi Inoue Hideshi Yamaguchi KenjiNomura System Memory Business Division Fujitsu Semiconductor Limited Kohoku-ku Yokoham 222-0033 Japan Factory Engineering Laboratory Fujitsu Laboratories Limited 10-1 Morinosato-Wakamiya A tsugi Kanag awa 243-0197 Japan
we have developed ferroelectric capacitor fabrication technique to realize low-voltage and high-density ferroelectric random access memory （FRAM）. High temperature deposited IrOxtop electrode reveals high crystallin... 详细信息
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