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制药工程校外实践教学基地建设探索与实践

广州化工 2017年第1期45卷 165-166页

作者：叶云钟英英廖兰广西科技大学生物与化学工程学院广西柳州545006

实践教学是培养制药工程专业学生实践技能的重要环节,校外实践教学基地在制药工程专业实践教学过程中发挥着非常重要的作用。本文从实践教学基地管理、指导教师队伍建设、实践教学体系等方面探讨了制药工程校外实践教学基地建设的改革,... 详细信息

实践教学是培养制药工程专业学生实践技能的重要环节,校外实践教学基地在制药工程专业实践教学过程中发挥着非常重要的作用。本文从实践教学基地管理、指导教师队伍建设、实践教学体系等方面探讨了制药工程校外实践教学基地建设的改革,提出了相应的建设措施。结果表明,这些改革取得了一定的成效,有利于学生实践能力的培养,校外实践教学基地的建设。

关键词：制药工程校外实践教学基地

基于全景技术的虚拟地质博物馆系统设计——以湖南省地质博物馆为例

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科技创新与生产力 2017年第1期 89-91页

作者：韩盈盈廖珊蔡杏琳吴堑虹中南大学地球科学与信息物理学院湖南长沙410083 中南大学有色金属成矿预测与地质环境监测教育部重点实验室湖南长沙410083 湖南省地质博物馆湖南长沙410004

针对目前虚拟地质博物馆三维展示效果失真、加载速度慢、交互体验差等缺点,以湖南省地质博物馆为例,采用室内全景技术研究了以少量图片代替大数据量建模的三维展示方式,探讨了基于全景技术构建虚拟仿真地质博物馆系统的总体设计与实现。

关键词：全景技术 Pano2vr 三维建模地质博物馆

Pathophysiology and Individualized Management of Vasovagal Syncope and Postural Tachycardia Syndrome in Children and Adolescents:An Update

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Neuroscience Bulletin 2020年第6期36卷 667-681页

作者： ying liao Junbao Du Department of Pediatrics Peking University First HospitalBeijing 100034China

Vasovagal syncope(VVS) and postural tachycardia syndrome(POTS) are the main forms of orthostatic intolerance in pediatrics and both are underlying causes of neurally-mediated *** recent years,increasing attention has been paid to the management of VVS and POTS in children and adolescents.A number of potential mechanisms are involved in their pathophysiology,but the leading cause of symptoms varies among patients.A few studies thus have focused on the individualized treatment of VVS or POTS based on selected hemodynamic parameters or biomarkers that can predict the therapeutic effect of certain therapies and improve their *** review summarizes the latest developments in individualized treatment of VVS and POTS in children and indicates directions for further research in this field.

关键词： Vasovagal syncope Postural tachycardia syndrome Individualized management Pathophysiology Children Adolescents

Mechanism of water oxidation catalyzed by vitamin B_(12):Redox non-innocent nature of corrin ligand and crucial role of phosphate

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Chinese Chemical Letters 2022年第1期33卷 358-361页

作者： ying-ying Li Rong-Zhen liao Key Laboratory of Material Chemistry for Energy Conversion and Storage Ministry of EducationHubei Key Laboratory of Bioinorganic Chemistry and Materia MedicaHubei Key Laboratory of Materials Chemistry and Service FailureSchool of Chemistry and Chemical EngineeringHuazhong University of Science and TechnologyWuhan 430074China

Vitamin B_(12)(macrocyclic cobalamin)has been recently reported to be capable of electrochemically catalyzing water oxidation in a neutral phosphate buffer *** this work,density functional calculations were employed to elucidate the water oxidation mechanism catalyzed by vitamin B_(12).The calculations showed that the catalytic cycle starts from the L·-Co^(Ⅱ)-OH_(2)complex 1.A proton-coupled electron transfer process then leads to the formation of a L^(·)-Co^(Ⅲ)-OH complex 2,followed by another proton-coupled electron transfer event to afford a corrin ligand radical cation intermediate 3(L^(·)-Co^(Ⅲ)-O^(·)).The redox non-innocent nature of the corrin ligand plays an essential role in the oxidation process.3 is capable of triggering the O-O bond formation via a water nucleophilic attack mechanism,in which a hydrophosphate dianion functions as a base to accept a proton from the water nucleophile.A dioxygen molecule is released after the oxidation of the Co^(Ⅲ)-OOH *** rate-determining step was calculated to be the O-O bond formation with a total barrier of 16.5 kcal/*** the use of water molecules as the proton acceptor was found to be less feasible for the O-O bond formation,with a barrier of 31.2 kcal/mol,further highlighting the crucial of phosphate in water oxidation.

关键词： Water oxidation DFT calculations Mechanism Vitamin B_(12) Cobalt

单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的形成与稳定性

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原子与分子物理学报 2025年第5期42卷 130-136页

作者：何诗颖赵宇清邹代峰许英廖雨洁禹卓良湖南科技大学物理与电子科学学院湘潭411201 智能传感器与新型传感器材料湖南省重点实验室湘潭411201 湖南理工学院物理与电子科学学院岳阳414006

Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结... 详细信息

Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而钙钛矿的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的铯空位、碘空位、氯空位、铯替代铅、碘替代铯、碘替代铅、碘替代氯、氯替代铯、氯替代铅和氯替代碘的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在富铅和缺铅条件下,碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能偏低,且氯替代碘能有效降低体系总能,提高体系稳定性.在缺铅条件下铯空位缺陷形成能低于富铅条件,在缺铅条件下更易形成铯空位;富铅和缺铅条件下对碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能基本无影响.上述研究结果有助于理解点缺陷对钙钛矿材料稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的高效的光电子器件提供理论依据.

关键词：单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2) 形成能点缺陷稳定性

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体相二硫化铼中点缺陷的形成与稳定性

原子与分子物理学报 2025年第5期42卷 143-150页

二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要... 详细信息

二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要的调控,且体相二硫化铼的缺陷研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对体相二硫化铼的铼空位、硫空位、钨掺杂(或替代)铼、钨掺杂硫、锝掺杂铼和锝掺杂硫的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:钨掺杂硫和锝掺杂硫形成深施主能级缺陷,铼空位形成浅施主能级缺陷.在富铼和富硫条件下,钨掺杂铼的缺陷形成能低且能有效降低体系总能,提高体系稳定性.钨掺杂硫的缺陷虽然能降低体系的总能提高二硫化铼的稳定性,但较大的缺陷形成能表明钨掺杂硫缺陷难以形成.上述研究结果有助于理解缺陷能级对半导体深浅能级和稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于二硫化铼的高效的光电子器件提供理论依据.

关键词：体相二硫化铼形成能缺陷能级稳定性

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InSe单层中点缺陷的第一性原理研究

原子与分子物理学报 2025年第6期42卷 167-173页

作者：何诗颖谢瑞恬刘娟邹代峰赵宇清许英廖雨洁湖南科技大学物理与电子科学学院湘潭411201 智能传感器与新型传感器材料湖南省重点实验室湘潭411201 山西大学化学化工学院太原030006 武汉大学动力与机械学院武汉430072

InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew... 详细信息

InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)和Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)对比研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层InSe的硒空位、铟空位、溴替代硒、硫替代硒、碲替代硒、镓替代铟、锡替代铟和铊替代铟的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在缺铟和富铟条件下,硫替代硒和镓替代铟的缺陷形成能低且可以有效的降低体系总能,提高体系的稳定性.溴替代硒具有较小的缺陷形成能,但较大的体系总能表明溴替代硒的缺陷体系不稳定.在缺铟条件下易形成铊替代铟缺陷;在富铟条件下易形成碲替代硒缺陷.上述研究结果有助于理解点缺陷对Ⅲ-Ⅵ族化合物稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于InSe的高效的光电子器件提供理论依据.

关键词：单层InSe 稳定性形成能点缺陷

High-temperature-tolerant flexible supercapacitors: Gel polymer electrolytes and electrode materials

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Journal of Energy Chemistry 2025年第1期100卷 426-457页

作者： Chong Peng Xinyi Huang Mingwei Zhao Shuling liao Quanhong Yang Nianjun Yang Siyu Yu School of Chemistry & Chemical Engineering Southwest University Nanoyang Group Tianjin Key Laboratory of Advanced Carbon and Electrochemical Energy Storage School of Chemical Engineering and Technology and Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin) Tianjin University Department of Chemistry & IMO-IMOMEC Hasselt University

The development of flexible supercapacitors(FSCs) capable of operating at high temperatures is crucial for expanding the application areas and operating conditions of supercapacitors. Gel polymer electrolytes and electrode materials stand as two key components that significantly impact the efficacy of hightemperature-tolerant FSCs(HT-FSCs). They should not only exhibit high electrochemical performance and excellent flexibility, but also withstand intense thermal stress. Considerable efforts have been devoted to enhancing their thermal stability while maintaining high electrochemical and mechanical performance. In this review, the fundamentals of HT-FSCs are outlined. A comprehensive overview of state-of-the-art progress and achievements in HT-FSCs, with a focus on thermally stable gel polymer electrolytes and electrode materials is provided. Finally, challenges and future perspectives regarding HT-FSCs are discussed, alongside strategies for elevating operational temperatures and *** review offers both theoretical foundations and practical guidelines for designing and manufacturing HT-FSCs, further promoting their widespread adoption across diverse fields.

关键词： Flexible supercapacitors High-temperature tolerance Gel polymer electrolytes Electrode materials

Normal Bases and Their Dual-Bases over Finite Fields

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Acta Mathematica Sinica,English Series 2006年第3期22卷 845-848页

作者： Qun ying liao Qi SUN The Mathematical College of Sichuan University The Mathematical and Soft-Ware Scientific College of Sichuan Normal University

In this paper, we prove the following results： 1） A normal basis N over a finite field is equivalent to its dual basis if and only if the multiplication table of N is symmetric; 2） The normal basis N is self-dual if and only if its multiplication table is symmetric and Tr（α^2） = 1, where α generates N; 3） An optimal normal basis N is self-dual if and only if N is a type-Ⅰ optimal normal basis with q = n = 2 or N is a type-Ⅱ optimal normal basis.

关键词： Normal bases over finite fields Optimal normal bases Multiplication tables of normal bases