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Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN

半导体技术 2008年第S1期33卷 75-79页

作者： Ohno yasuo institute of Technology and Science the University of Tokushima

For thermally stable or high-temperature operating,Schottky contact utilizing refractory metal nitride,TiN,MoN and ZrN,on n-GaN were *** refractory metal nitride films were formed by reactive sputtering in ar and N2 ***-voltage characteristics show that ideality factors of 1.09-1.22 and bar.ier heights of 0.66-0.75 eV was obtained for the three metal *** the ZrN contact,the ideality factor and bar.ier height of became 1.06 and 0.77 eV,respectively,after 800 ℃ ***/GaN heterostructure FET with TiN gate was also *** obvious degradation was found for the TiN-gate device even after thermal treatment at 850 ℃.This shows that Schottky contact utilizing refractory metal nitride on GaN has the potential for thermal stability or high-temperature operating.

关键词： refractory metal nitride GaN Schottky contact Schottky diode

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Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN

Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者： Ohno yasuo institute of Technology and Science the University of Tokushima

For thermally stable or high-temperature operating,Schottky contact utilizing refractory metal nitride,TiN,MoN and ZrN,on n-GaN were *** refractory metal nitride films were formed by reactive sputtering in ar and N ***-voltage characteristics show that ideality factors of 1.09 - 1.22 and bar.ier heights of 0.66 - 0.75 eV was obtained for the three metal *** the ZrN contact,the ideality factor and bar.ier height of became 1.06 and 0.77 eV,respectively,after 800℃***/GaN heterostructure FET with TiN gate was also *** obvious degradation was found for the TiN-gate device even after thermal treatment at 850℃.This shows that Schottky contact utilizing refractory metal nitride on GaN has the potential for thermal stability or high-temperature operating.

关键词： refractory metal nitride GaN Schottky contact Schottky diode

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使用带灯反应器的光CVDa—Si薄膜

引用

微电子学与计算机 1988年第2期 26-28页

作者： yasuo Tar.i Katsumi Aota Koichi Kamisako Shinji Suzuki Tatsumi Hiramoto 孙建诚

本文论述了使用一种灯与反应室为统一体的新型光CVD法.这种没有灯管和反应室窗口的光CVD系统有利于短波长光的辐射.在没有汞敏化剂的情况下,采用一体反应器,从硅烷气体淀积a-Si薄膜.测量了一体反应器的发射光谱.它与RF等离子比较,有Si... 详细信息

本文论述了使用一种灯与反应室为统一体的新型光CVD法.这种没有灯管和反应室窗口的光CVD系统有利于短波长光的辐射.在没有汞敏化剂的情况下,采用一体反应器,从硅烷气体淀积a-Si薄膜.测量了一体反应器的发射光谱.它与RF等离子比较,有Si的强波峰和SiH、H2、ar等的弱波峰.从光谱得出的电子温度在一体反应器中为4600～6100K.

关键词： CVDa 等离子体水银 RF 自然汞淀积电子温度 Si

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