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High breakdown voltage InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors with f_(max)=256 GHz and BV_(CEO)= 8.3 V

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Journal of Semiconductors 2012年第1期33卷 56-58页

作者： Cheng Wei Zhao Yan Gao Hanchao Chen Chen yang naibin Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute Nanjing 210016China

An InGaAs/InP DHBT with an InGaAsP composite collector is designed and fabricated using triple mesa structural and planarization technology. All processes are on 3-inch wafers. The DHBT with an emitter area of 1×15 μm2 exhibits a current cutoff frequency ft = 170 GHz and a maximum oscillation frequency fmax = 256 GHz. The breakdown voltage is 8.3 V, which is to our knowledge the highest BVcEo ever reported for InGaAs/InP DHBTs in China with comparable high frequency performances. The high speed InGaAs/InP DHBTs with high breakdown voltage are promising for voltage-controlled oscillator and mixer applications at W band or even higher frequencies.

关键词： InP double heterojunction bipolar transistor planarization

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新一代大型客机复合材料结构

航空学报 2008年第3期29卷 596-604页

作者：杨乃宾北京航空航天大学航空科学与工程学院北京100083

大量采用复合材料结构是新一代大型客机机体结构设计的突出特点,用量已达结构重量50%。复合材料结构不仅带来了明显的减重效益,而且带来了结构耐腐蚀、疲劳和维护等性能的改善提高。波音787飞机人性化设计的全复合材料机身使乘坐舒适性... 详细信息

大量采用复合材料结构是新一代大型客机机体结构设计的突出特点,用量已达结构重量50%。复合材料结构不仅带来了明显的减重效益,而且带来了结构耐腐蚀、疲劳和维护等性能的改善提高。波音787飞机人性化设计的全复合材料机身使乘坐舒适性和便利性得到显著改善。民机复合材料结构技术重点研究解决了复合材料自然环境老化、大型翼面壁板整体成型、机身大开口区载荷重新分布和应力集中、地面维护装备冲击损伤、健康检测等关键技术问题,并且建立了以中模高强碳纤维/韧性环氧树脂复合材料热压罐成形工艺为主的大型客机复合材料结构材料体系。对复合材料机翼和机身结构的设计和工艺关键技术问题做了较为详尽的介绍。

关键词：复合材料大型客机机体结构应用效益

Regulatory Effect of JAK2/STAT3 on the Immune Function of Endotoxin-tolerant Dendritic Cells and its Involvement in Acute Liver Failure

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Journal of Clinical and Translational Hepatology 2022年第5期10卷 879-890页

作者： Yukai Chen Chaochen Hou naibin yang Yanyan yang Youran Chen Deyong Kong Yuchun Jiang Minghao Lin Sijie Zheng Shanshan Li Mingqin Lu Ningbo Puji Hospital NingboZhejiangChina Department of Infectious Diseases The First Affiliated Hospital of Wenzhou Medical UniversityWenzhouZhejiangChina Department of Infectious Diseases Ningbo First HospitalNingboZhejiangChina

Background and Aims:Acute liver failure(ALF)is a potentially fatal clinical syndrome with no effective *** study aimed to explore the role of Janus kinase 2/signal transducer and activator of transcription 3(JAK2/STAT3)pathway in modulating the phenotype and immune function of endotoxin-tolerant dendritic cells(ETDCs).In addition,we explored the use of EDTCs in an experimental model of ALF and investigated the associated ***:In the in vitro experiment,ETDCs were transfected with adenovirus to induce SOCS1^(+/+)ETDCs and SOCS1^(−/−)***,costimulatory molecules and mixed lymphocyte reaction were *** mice were randomly divided into normal control,ALF,ALF+mock-ETDCs,ALF+SOCS1^(+/+)ETDCs,ALF+AG490,and ALF+AG490+SOCS1^(+/+)ETDCs *** examined the therapeutic effect of adoptive cellular immunotherapy by tail-vein injection of target ETDCs 12 h before ALF ***490,a JAK2/STAT3 inhibitor,was used in the in vivo experiment to further explore the protective mechanism of SOCS1^(+/+)***:Compared with control ETDCs,SOCS1^(+/+)ETDCs had lower expression of costimulatory molecules,weaker allostimulatory ability,lower levels of IL-6 and TNF-αexpression and higher IL-10 ***1^(−/−)ETDCs showed the opposite *** the in vivo experiments,the ALF+SOCS1^(+/+)ETDCs and ALF+AG490+SOCS1^(+/+)ETDCs groups showed less pathological damage and suppressed activation of JAK2/STAT3 *** changes were more pronounced in the ALF+AG490+SOCS1^(+/+)ETDCs *** of SOCS1^(+/+)ETDCs had a protective effect against ALF possibly via inhibition of JAK2 and STAT3 ***:The SOCS1 gene had an important role in induction of endotoxin ***1^(+/+)ETDCs alleviated lipopolysaccharide/D-galactosamine-induced ALF by downregulating the JAK2/STAT3 signaling pathway.

关键词： Liver failure Acute Janus kinase 2/signal transducers and activators of transcription 3(JAK2/STAT3) Endotoxin tolerance Dendritic cells

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Ka波段单平衡混频器的集成设计

固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 63-65,99页

作者：王亮费元春张斌杨乃彬北京理工大学信息科学技术学院电子工程系北京100081 南京电子器件研究所南京210016

结合0.25μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产。经测量,当射频频率为34.1GHz,本振频率为32GHz时,射频和本振端口的驻波比皆小于2,变频损耗小于... 详细信息

结合0.25μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产。经测量,当射频频率为34.1GHz,本振频率为32GHz时,射频和本振端口的驻波比皆小于2,变频损耗小于8dB,噪声系数小于11.5dB,最终给出芯片照片及尺寸:2665μm×1770μm×100μm。

关键词：毫米波集成电路朗格耦合器单平衡结构仿真

GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带

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固体电子学研究与进展 2023年第2期43卷 108-120页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016

使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟... 详细信息

使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟道中的强场峰、电场梯度峰、能带谷和能带峰都由局域电子气电荷引起,局域电子气的慢输运行为延缓了异质结充电过程,拉长了偏置转换中的亚稳态能带转换弛豫。当负应力栅压向空间电荷区注入电子给陷阱充电时,陷阱电荷叠加在局域电子气电荷上,强化了能带畸变和电流崩塌。由此提出涉及异质结能带转换的新虚栅模型。在新虚栅模型下异质结能带变化引发的电子气状态变化比旧虚栅模型中的电子耗尽作用强得多,据此能够解释从漏控DLTS测得的外沟道陷阱密度比栅控DLTS测得的内沟道陷阱密度大1~2个数量级的实验结果。使用涉及能带转换的新虚栅模型讨论了GaN HFET研究中的电流崩塌、3 mm场效应管及可靠性难题。提出二维异质结构用异质结鳍来研制场效应管的新课题。

关键词：虚栅电流崩塌能带畸变局域电子气涉及异质结能带转换的虚栅模型陷阱和局域电子气的相互作用异质结鳍

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GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带

固体电子学研究与进展 2020年第3期40卷 159-163页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,... 详细信息

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,编制成计算不同应力偏置和测试偏置下亚稳态能带的计算软件。运用新编软件计算了不同能带峰和填充能级下的亚稳态能带。详细描述了偏置转换中产生的能带谷充电过程及外沟道堵塞,由此建立起应力偏置与测试偏置下动态电流间的关联。从场效应管射频工作中栅、漏电压的变化条件出发提出新的电流崩塌动态模型。运用应力偏置和测试偏置下的定态能带和亚稳态能带解释了瞬态电流谱随应力偏置和测试偏置的变化行为。最后讨论亚稳态能带在GaN HFET研究中的重要意义。

关键词：亚稳态能带电流崩塌能带峰填充能级能带谷充电应力偏置对动态电流的影响电流崩塌模型陷阱

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GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌

固体电子学研究与进展 2022年第3期42卷 163-169页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越... 详细信息

考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越势垒的动态模型,解释了沟道打开过程中源电阻增大、沟道电子平均速度下降、大沟道电流下跨导下降等各类跨导崩塌行为,解释了场效应管沟道电子速度远低于异质结材料的缘由。运用沟道打开时的异质结充电和大沟道电流激励下空间电荷触发的能带峰势垒模型解释了跨导钟形曲线上升段中的电流崩塌和下降段中的跨导崩塌。深入研究了陷阱和局域电子气的相互作用,解释了可靠性加速寿命试验中的跨导曲线变化。沟道夹断的强负栅压应力产生内沟道逆压电缺陷,减弱栅电压对内沟道电子气的控制和沟道打开时跨导的上升斜率。沟道打开后的大电流应力使局域电子气与晶格碰撞产生热电子缺陷和空间电荷,抬高能带峰势垒引发外沟道堵塞,降低沟道电流,导致阈值电压正移。这一研究证明在场效应管直流和射频工作中的器件性能退化都是由陷阱同局域电子气相互作用产生的,开创了优化设计异质结能带来提高场效应管可靠性的新途径。最后讨论大沟道电流下能带峰势垒引发的外沟道堵塞和跨导崩塌在场效应管研发中的重要作用,提出了在空间电荷区上方设置专用的异质结鳍来平衡内、外沟道能带,解开场效应管中的电流崩塌、跨导崩塌、线性、器件性能退化及3 mm高频工作等难点。

关键词：跨导崩塌能带峰势垒能带畸变局域电子气陷阱和局域电子气的相互作用沟道电子的速-场特性钟形跨导曲线异质结鳍

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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌

固体电子学研究与进展 2019年第5期39卷 313-323,389页

作者：薛舫时杨乃彬郁鑫鑫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和... 详细信息

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异质结充放电中的输运行为成功解释了各类DLTS和电流崩塌实验中的动态行为。建立起新的电流崩塌能带模型。详细比较了陷阱模型和能带模型对电流崩塌和器件射频工作的不同描述。从电流崩塌同异质结构关联研究中提出新的器件优化设计方案。

关键词：实时能带非稳态能带电流崩塌能带峰耗尽局域电子气势垒电流崩塌能带模型陷阱

GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续)

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固体电子学研究与进展 2019年第6期39卷 391-399页

作者：薛舫时杨乃彬郁鑫鑫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

关键词：实时能带非稳态能带电流崩塌能带峰耗尽局域电子气势垒电流崩塌能带模型陷阱