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Structural and Optical Characteristics of InGaN／GaN Multi-Quantum Wells Grown on α-and c-Plane Sapphire Substrates

Chinese Physics Letters 2004年第7期21卷 1323-1326页

作者： yuhong-bo chenhong lidong-sheng zhoujun-ming StateKeyLaboratoryforSurfacePhysics InstituteofPhysicsChineseAcademyofSciencesPOBox603Beijing100080

We investigate the structural and optical properties of InGaN-based multi-quantum wells grown on a–c plane sapphire substrates by atomic force microscopy, high-resolution x-ray diffraction and temperature-dependent photoluminescence measurements. The multi-quantum wells grown on a-plane sapphire substrate show stronger exciton localization effect compared with that grown on the c-plane substrate, although the threading dislocation densities in the two samples are almost the same. We attribute the results to the different in-plane strain of quantum well grown on different substrate orientations at the same growth temperature. Since the exciton localization effect plays a key role to obtain high efficiency InGaN-based optoelectronics devices, the presented result should be emphasized.

关键词： Strain

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