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Improved Photovoltaic Properties of Heterojunction Carbon Based Solar Cell

Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology 2013年第3期3卷 178-183页

作者： Sudip Adhikari M. S. Kay.stha D. C. Ghimire H. R. Ary.l S. Adhikary.T. Takeuchi K. Murakami y. kawashimo H. Uchida K. Wakita M. Umeno Department of Electronics and Information Engineering Chubu University Kasugai Japan Department of Electronics and Information Engineering Chubu University Kasugai Japan Department of Hy.rology.and Meteo- rology Tri-Chandra Campus Tribhuvan University Kathmandu Nepal Shinko Seiki Co. Ltd. Kobe Japan.

Amorphous carbon (a-C) thin films have been sy.thesized by.microwave (MW) surface wave plasma (SWP) chemical vapor deposition (CVD) on n-ty.e silicon and quartz substrates, aiming at the application of the films for photovoltaic solar cells. Argon, acety.ene and trimethy.boron were used as a carrier, source and dopant gases. Analy.ical methods such as X-ray.photoelectron spectroscopy.(XPS), Hall Effect measurement, JASCO V-570 UV/VIS/NIR spectroscopy. Raman spectroscopy. Transmission electron microscopy.(TEM) and Solar simulator were employ.d to investigate chemical, optical, structural and electrical properties of the a-C films. Two ty.es of solar cells of configuration p-C/n-Si and p-C/i-C/n-Si have been fabricated and their current-voltage characteristics under dark and illumination (AM 1.5, 100 mW/cm2) have been studied. The two solar cells showed rectify.ng curves under the dark condition confirming the heterojunction carbon based solar cell between p-C and n-Si. When illuminated by.the solar simulator light the devices showed photovoltaic behavior. The heterojunction device (p-C/i-C/n-Si) having inserted intrinsic carbon film between p-C and n-Si exhibited significant enhancement of the conversation efficiency.(0.167% to 2.349%) over the device (p-C/n-Si).

关键词： Carbon Photovoltaic Properties Heterojunction Solar Cell

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