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氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响

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半导体技术 2021年第2期46卷 134-138,168页

作者：李鹏飞魏淑华康玄武张静吴昊孙跃郑英奎北方工业大学信息学院北京100144 中国科学院微电子研究所北京100029

采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处... 详细信息

采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处理条件(ICP功率250 W,射频功率60 W,压强0.8 Pa,氧气流量30 cm^(3)/min,时间5 min)下,欧姆接触电阻为0.41Ω·mm,比参照样品接触电阻降低了约69%。分析认为经过氧等离子体处理后,在近表面处产生了一定数量的N空位缺陷,这些N空位表现为浅能级施主掺杂,有利于欧姆接触的形成。通过采用氧等离子体表面处理工艺制备的AlGaN/GaN HEMT,在+2 V的栅极偏压下获得了0.77 A/mm的最大漏极饱和电流。

关键词： AlGaN/GaN HEMT 欧姆接触氧等离子体 N空位电感耦合等离子体(ICP)刻蚀

Ar离子注入边缘终端准垂直GaN肖特基势垒二极管

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半导体技术 2021年第8期46卷 623-629,644页

作者：赵媛媛郑英奎康玄武孙跃吴昊魏珂刘新宇中国科学院大学微电子学院北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029

为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最优终端区域尺寸。基于工艺仿真软件设计了Ar... 详细信息

为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最优终端区域尺寸。基于工艺仿真软件设计了Ar离子注入工艺参数,依次以30 keV、5.0×10^(13)cm^(-2),60 keV、1.5×10^(14)cm^(-2)和140 keV、4.5×10^(14)cm^(-2)的注入能量和注入剂量进行多次注入,形成了Ar离子终端结构。采用Ar离子注入终端的GaN二极管的反向击穿电压从73 V提高到146 V,同时注入前后器件正向特性变化不大。结果表明,采用优化尺寸参数的终端结构能够有效降低肖特基结边缘处的峰值电场强度,从而提高器件的反向击穿电压。

关键词： GaN 准垂直结构肖特基势垒二极管 Ar离子注入边缘终端

CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管

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半导体技术 2022年第3期47卷 179-183页

作者：陈延博杨兵康玄武郑英奎张静吴昊刘新宇北方工业大学信息学院北京100144 中国科学院微电子研究所北京100029

在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法... 详细信息

在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀工艺,实现了低损伤的侧壁。同时采用TiN作为肖特基金属,实现了较低的开启电压。器件制备完成后对其进行分析表征。测试和分析结果表明,制备的无金工艺的准垂直GaN SBD实现了0.5 V的低开启电压,0.37 mΩ·cm^(2)的比导通电阻,理想因子为1.06,势垒高度为0.81 eV。器件的击穿电压为256 V,巴利加优值(BFOM)达到了177 MW/cm^(2)。研究表明,采用无金工艺制备GaN SBD具有技术上的可行性,该技术有望降低GaN SBD的制造成本。

关键词： Si基GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构无金工艺电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TiN CMOS兼容工艺

退火处理降低AlGaN/GaN台面隔离电流

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半导体技术 2020年第4期45卷 293-297,311页

作者：赵志波杨兵康玄武张静吴昊孙跃郑英奎魏珂北方工业大学信息学院北京100144 中国科学院微电子研究所北京100029

针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试。测试结果表明... 详细信息

针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试。测试结果表明,在氧气和氮气氛围退火处理均能降低样品的隔离电流,且经退火处理后样品的隔离电流均处于10-9 A/mm数量级,但在氧气氛围中退火处理会使样品的欧姆接触电阻增大。在氮气氛围下的最佳退火处理条件为400℃、120 s。在该条件下样品经过退火处理后,在200 V直流偏压下测得样品的台面隔离电流仅为4.03×10^-9 A/mm,与未经退火处理的样品相比降低了4个数量级,而且在高温测试中样品的隔离电流仍然能够保持较低的数值。

关键词： AlGaN 台面区域隔离电流退火处理电感耦合等离子体(ICP)刻蚀

AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模

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半导体技术 2021年第5期46卷 358-364,381页

作者：刘芷诫郑英奎康玄武孙跃吴昊陈晓娟魏珂中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029

基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去... 详细信息

基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数。综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度。结果表明,在0.1~10 GHz内,回波损耗相对误差小于4.1%,插入损耗相对误差小于3.7%,验证了所提出模型的可行性和准确性。

关键词： GaN AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD) 混合阳极微波输能

无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制

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半导体技术 2019年第6期44卷 426-432页

作者：吴昊康玄武杨兵张静赵志波孙跃郑英奎魏珂闫江北方工业大学信息学院北京100144 中国科学院微电子研究所北京100029

研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN... 详细信息

研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN-SBD(0.95 V@1 mA·mm^(-1))与Ni/Au-SBD(1.15 V@1 mA·mm^(-1))相比实现了更低的开启电压,从而改善了正向导通特性。研究发现两种SBD的势垒高度和理想因子都强烈依赖于环境温度,通过引入势垒高度的高斯分布模型解释了这种温度依赖性,验证了正向电流输运机制为与势垒高度不均匀分布相关的热电子发射机制。

关键词： AlGaN/GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 正向电流输运机制 TiN 势垒高度无凹槽

AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展

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电源学报 2019年第3期17卷 44-52页

作者：康玄武郑英奎王鑫华黄森魏珂吴昊孙跃赵志波刘新宇中国科学院微电子研究所

氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用... 详细信息

氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度,介绍了各种优化SBD性能的方法。最后,对器件的未来发展进行了展望。

关键词：氮化镓(GaN) AlGaN/GaN异质结肖特基二极管(SBD)

Dual inhibition of EGFR at protein and activity level via combinatorial blocking of PI4KIla as anti-tumor strategy

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Protein & Cell 2014年第6期5卷 457-468页

作者： Jiangmei Li Lunfeng Zhang Zhen Gao Hua kang Guohua Rong Xu Zhang Chang Chen National Laboratory of Biomacromolecules Institute of Biophysics Chinese Academy of Sciences Beijing 100101 China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049 China Department of General Surgery Xuanwu Hospital Capital Medical University Beijing 100053 China Tianjin Research Center of Basic Medical Science Tianjin Medical University Tianjin 300070 China Beijing Institute for Brain Disorders Beijing 100069 China

Our previous studies indicate that phosphatidylinositol 4-kinase Ila can promote the growth of multi-malignant tumors via HER-2/PI3K and MAPK pathways. However, the molecular mechanisms of this pathway and its potential for clinical application remain unknown. In this study, we found that PI4KIla could be an ideal combinatorial target for EGFR treatment via regulating EGFR degradation. Results showed that PI4KIla knockdown reduced EGFR protein level, and the expression of Pi4KIla shows a strong correlation with EGFR in human breast cancer tissues （r= 0.77, P 〈 0.01）. PI4KIla knockdown greatly prolonged the effects and decreased the effective dosage of AG-1478, a specific inhibitor of EGFR. In addition, it significantly enhanced AG1478-induced inhibition of tumor cell survival and strengthened the effect of the EGFR-targeting anti-cancer drug Iressa in xenograft tumor models. Mechanistically, we found that PI4KIla suppression increased EGFR ligand-independent degradation. Quantitative proteomic analysis by stable isotope labeling with amino acids in cell culture （SlLAC） and LC-MS/MS suggested that HsPg0 mediated the effect of PI4KIla on EGFR. Furthermore, we found that combined inhibition of PI4KIla and EGFR suppressed both PI3K/AKT and MAPK/ERK pathways, and resulted in downregulation of multiple oncogenes like PRDX2, FASN, MTA2, ultimately leading to suppression of tumor growth. Therefore, we conclude that combined inhibition of PI4KIla and EGFR exerts a multiple anti-tumor effect. Dual inhibition of EGFR at protein and activity level via combinatorial blocking of PI4KIla presents a novel strategy to combat EGFR-dependent tumors.

关键词： phosphatidylinositol 4-kinase Ila (PI4KIla)EGFR dual inhibition enhanced anti-tumor effect breastcancer. Iressa

Epigenetic regulation of aging:implications for interventions of aging and diseases

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Signal Transduction and Targeted Therapy 2022年第12期7卷 4283-4304页

作者： kang Wang Huicong Liu Qinchao Hu Lingna Wang Jiaqing Liu Zikai Zheng Weiqi Zhang Jie Ren Fangfang Zhu Guang-Hui Liu State Key Laboratory of Membrane Biology Institute of ZoologyChinese Academy of Sciences100101 BeijingChina State Key Laboratory of Stem Cell and Reproductive Biology Institute of ZoologyChinese Academy of Sciences100101 BeijingChina University of Chinese Academy of Sciences 100049 BeijingChina School of Biomedical Engineering Shanghai Jiao Tong University200030 ShanghaiChina CAS Key Laboratory of Genomic and Precision Medicine Beijing Institute of GenomicsChinese Academy of Sciences and China National Center for Bioinformation100101 BeijingChina Hospital of Stomatology Sun Yat-sen University510060 GuangzhouChina Guangdong Provincial Key Laboratory of Stomatology Guanghua School of StomatologySun Yat-sen University510060 GuangzhouChina Institute for Stem Cell and Regeneration Chinese Academy of Sciences100101 BeijingChina Advanced Innovation Center for Human Brain Protection National Clinical Research Center for Geriatric DisordersXuanwu HospitalCapital Medical University100053 BeijingChina Beijing Institute for Stem Cell and Regenerative Medicine 100101 BeijingChina

Aging is accompanied by the decline of organismal functions and a series of prominent hallmarks,including genetic and epigenetic *** aging-associated epigenetic changes include DNA methylation,histone modification,chromatin remodeling,non-coding RNA(ncRNA)regulation,and RNA modification,all of which participate in the regulation of the aging process,and hence contribute to aging-related ***,understanding the epigenetic mechanisms in aging will provide new avenues to develop strategies to delay ***,aging interventions based on manipulating epigenetic mechanisms have led to the alleviation of aging or the extension of the lifespan in animal *** molecule-based therapies and reprogramming strategies that enable epigenetic rejuvenation have been developed for ameliorating or reversing aging-related *** addition,adopting health-promoting activities,such as caloric restriction,exercise,and calibrating circadian rhythm,has been demonstrated to delay ***,various clinical trials for aging intervention are ongoing,providing more evidence of the safety and efficacy of these ***,we review recent work on the epigenetic regulation of aging and outline the advances in intervention strategies for aging and age-associated diseases.A better understanding of the critical roles of epigenetics in the aging process will lead to more clinical advances in the prevention of human aging and therapy of aging-related diseases.

关键词： aging prevention hence