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作者

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检索条件"作者=Xiufeng song"
198 条 记 录,以下是1-10 订阅
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2D materials via liquid exfoliation:a review on fabrication and applications
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Science Bulletin 2015年 第23期60卷 1994-2008页
作者: Chengxue Huo Zhong Yan xiufeng song Haibo Zeng Institute of Optoelectronics and Nanomaterials College of Material Science and Engineering Nanjing University of Science and Technology
Since graphene was discovered, the study of two-dimensional(2D) materials with atomic thickness has become a hot spot. To prepare different 2D materials,different methods have been groped, such as mechanical exfoliati... 详细信息
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NOISE AMPLIFICATION ANALYSIS AND COMPARISON OF TWO PERIODIC NONUNIFORM SAMPLING RECONSTRUCTION METHODS USED IN DPCA SAR
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Journal of Electronics(China) 2008年 第6期25卷 786-796页
作者: song xiufeng Yu Weidong Institute of Electronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100190 China Graduate University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100030 China
General Sampling Expansion Reconstruction Method (GSERM) and Digital Spectrum Reconstruction Method (DSRM), which prove effective to reconstruct azimuth signal of Displaced Phase Center Apertures (DPCA) Synthetic Aper... 详细信息
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RECONSTRUCT AZIMUTH SIGNAL AND SUPPRESS INTERBEAM AMBIGUITIES OF SPCMB SAR WITH HYBRID FILTERBANK
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Journal of Electronics(China) 2008年 第3期25卷 324-329页
作者: song xiufeng Yu Weidong Institute of Electronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100190 China Graduate School of Chinese Academy of Sciences Beijing 100039 China
Conventional Synthetic Aperture Radar (SAR) systems cannot obtain high-resolution and wide-swath illumination area due to the well-known minimum antenna area constraint. Single Phase Center MultiBeam (SPCMB) technique... 详细信息
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Optical detection of quantum geometric tensor in intrinsic semiconductors
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Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2021年 第10期64卷 82-87页
作者: Zhi Li Shengli Zhang Takami Tohyama xiufeng song Yu Gu Toshiaki Iitaka Haibin Su Haibo Zeng MIIT Key Lxiboratory of Advanced Display Materials and Devices Ministry of Industry and Information TechnologyInstitute of Optoelectronics&NanomaterialsNanjing University of Science and TechnologyNanjing 210094China Department of Applied Physics Tokyo University of ScienceKatsushikaTokyo 125-8585Japan Discrete Event Simulation Research Team R/KEN Center for Computational ScienceWako 351-0198Japan Department of Chemistry The Hong Kong University of Science and TechnologyHong KongChina
Quantum geometric tensor, including a symmetric real part defined as quantum metric and an antisymmetric part defined as Berry curvature, is essential for understanding many phenomena. In this study, we investigated t... 详细信息
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Two-Dimensional Pnictogen for Field-Effect Transistors
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Research 2019年 第1期2019卷 348-368页
作者: Wenhan Zhou Jiayi Chen Pengxiang Bai Shiying Guo Shengli Zhang xiufeng song Li Tao Haibo Zeng Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices Ministry of Industry and Information TechnologyCollege of Material Science and EngineeringNanjing University of Science and TechnologyNanjing 210094China Jiangsu Key Laboratory of Advanced Metallic Materials School of Materials Science and EngineeringSoutheast UniversityNanjing 211189China
Two-dimensional(2D)layered materials hold great promise for various future electronic and optoelectronic devices that traditional semiconductors cannot afford.2D pnictogen,group-VA atomic sheet(including phosphorene,a... 详细信息
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1.7 kV normally-off p-GaN gate high-electron-mobility transistors on a semi-insulating SiC substrate
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Science China(Information Sciences) 2023年 第2期66卷 250-255页
作者: Shenglei ZHAO Jincheng ZHANG Yachao ZHANG Lansheng FENG Shuang LIU xiufeng song Yixin YAO Jun LUO Zhihong LIU Shengrui XU Yue HAO Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of Microelectronics Xidian University School of Mechano-Electronic Engineering Xidian University Testing Center Sichuan Institute of Solid-State CircuitsChina Electronics Technology Group Corporation
A study of 1.7 kV normally-off p-GaN gate high-electron-mobility transistors(HEMTs) on SiC substrates is presented. The fabricated p-GaN HEMT with a gate-drain spacing LGD = 5 μm exhibited a threshold voltage of 1.10... 详细信息
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Functional magnetic resonance imaging evaluation of visual cortex activation in patients with anterior visual pathway lesions
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Neural Regeneration Research 2012年 第9期7卷 692-696页
作者: xiufeng song Guohua Wang Tong Zhang Lei Feng Peng An Yueli Zhu Department of Radiology Qingdao Municipal HospitalQingdao 266071Shandong ProvinceChina
The aim of this study was to examine the secondary visual cortex functional disorder in patients with glaucoma and large pituitary adenoma by functional magnetic resonance imaging, and to determine the correlation bet... 详细信息
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优化江苏高等教育结构的对策思考
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江苏高教 2007年 第3期 48-51页
作者: 宋旭峰 江苏省教育科学研究院高教所
适应全面达小康、建设新江苏的需要,实现由高等教育大省向高等教育强省转变,需要在加强质量内涵建设的同时,进一步协调各类高等教育的关系,促使高等学校合理定位,加快建设一批内部组织结构新颖、办学特色显著的新制大学,推动高等教育实... 详细信息
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First-principle study of puckered arsenene MOSFET
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Journal of Semiconductors 2020年 第8期41卷 75-80页
作者: Hengze Qu Ziwei Lin Ruijuan Guo Xiyu Ming Wenhan Zhou Shiying Guo xiufeng song Shengli Zhang Haibo Zeng Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices Ministry of Industry and Information TechnologyCollege of Material Science and EngineeringNanjing University of Science and TechnologyNanjing 210094China
Two-dimensional material has been regarded as a competitive silicon-alternative with a gate length approaching sub-10 nm,due to its unique atomic thickness and outstanding electronic ***,we provide a comprehensively s... 详细信息
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科研数据再利用过程模型研究
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情报理论与实践 2021年 第6期44卷 61-68页
作者: 宋秀芬 周茜 李立睿 魏银珍 湖北警官学院法庭科学湖北省重点实验室 湖北武汉430034 西南大学计算机与信息科学学院 重庆400715 黄冈师范学院计算机学院 湖北黄冈438000
[目的/意义]旨在厘清数据共享、发布、再利用三者之间的关系,为国内数据再利用实践提供参考与借鉴。[方法/过程]在明确数据概念基础上,比较数据共享、发布、再利用的异同,构建与分析数据再利用过程模型。[结果/结论]从增强数据共享程度... 详细信息
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