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不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究

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传感器与微系统 2024年第10期43卷 38-41页

作者：田媛刘叶锋陈晓冰王忠东闫晓密广西科技师范学院数学与计算机科学学院广西来宾546199 普瑞(无锡)研发有限公司江苏无锡214000 上海科技大学量子器件中心上海201210

发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,... 详细信息

发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,并研究其光电特性。结果表明,在120mA测试电流作用下,由于CBL的插入增大了有源层有效光发射区域的电流密度,减少了p电极(p-pad)下的寄生光吸收,LED芯片的辐射功率与光电转换效率随着CBL线宽的增加而单调增加,在CBL线宽设计为13μm时,辐射功率与光电转换效率达到最大;正向电压(VF)随着CBL线宽的增加略有增加,表明绝缘的CBL层增大串联电阻。本文为CBL线宽的选择提供了新思路,可有效提高LED的发光效率。

关键词：发光二极管电流阻挡层氮化镓发光效率

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纳米柱InGaN/GaN多量子阱的干法刻蚀制备技术

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半导体技术 2018年第4期43卷 296-300页

作者：闫晓密姜红苓贾美琳江苏新广联半导体有限公司

纳米柱GaN基多量子阱（MQW）拥有量子尺寸效应以及应变释放等特性,对于提高GaN基发光二极管（LED）的发光效率具有重要意义。采用快速热退火（RTA）形成的自组装Ni纳米颗粒作为刻蚀掩膜,利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）制... 详细信息

纳米柱GaN基多量子阱（MQW）拥有量子尺寸效应以及应变释放等特性,对于提高GaN基发光二极管（LED）的发光效率具有重要意义。采用快速热退火（RTA）形成的自组装Ni纳米颗粒作为刻蚀掩膜,利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）制备纳米柱InGa N/Ga N MQW。通过改变RTA温度发现在800℃以上才能有效形成Ni纳米颗粒掩膜。不同的ICP和射频（RF）功率条件下制备的纳米柱MQW光致发光强度相比于相同结构的平面MQW会发生显著变化。通过优化ICP-RIE的刻蚀条件,可以获得发光强度显著提高的纳米柱MQW结构。同时,纳米柱MQW中压电极化场的减弱会形成光致发光峰位蓝移。

关键词： InGaN 多量子阱(MQW) 纳米柱干法刻蚀自组装Ni纳米颗粒快速热退火(RTA)

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高层建筑形态流变及特征探析

城市建筑 2016年第13期13卷 15-18页

作者：覃力颜晓迷张晓深圳大学建筑与城市规划学院

高层建筑至今已有百余年的发展历史,其造型形态和设计手法一直在不断地变化,本文从视觉文化、建筑构建与时代变迁等几个方面,对高层建筑造型形态的变化及各个时代的特征进行了梳理、归纳和总结。

关键词：高层建筑造型形态变化特征

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应用于白光LED倒装芯片的DBR反射镜

微电子学 2018年第2期48卷 271-273,279页

作者：张秀敏黄慧诗华斌闫晓密周锋江苏新广联半导体有限公司江苏无锡214000

结合数值模拟与实验测试,对一种可应用于白光LED倒装芯片的分布式布拉格反射镜(DBR)的反射率特性进行研究。结果表明,25个周期的DBR膜系能够满足400~650nm的反射要求。与传统银/钛钨合金(Ag/TiW)金属反射镜进行了比较。在白光的450~460n... 详细信息

结合数值模拟与实验测试,对一种可应用于白光LED倒装芯片的分布式布拉格反射镜(DBR)的反射率特性进行研究。结果表明,25个周期的DBR膜系能够满足400~650nm的反射要求。与传统银/钛钨合金(Ag/TiW)金属反射镜进行了比较。在白光的450~460nm波段,DBR的反射率比传统金属反射镜高出约3.4%。与金属结构的传统反射镜芯片相比,具有DBR结构的白光LED芯片的辐射功率提高了3.59%。

关键词：分布式布拉格反射镜白光LED 倒装结构

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铝铜合金对LED芯片电极可靠性的影响

半导体技术 2018年第7期43卷 550-554,560页

作者：华斌黄慧诗闫晓密张秀敏贾美琳江苏新广联半导体有限公司

发光二极管（LED）芯片反射电极中铝的稳定性对芯片的可靠性至关重要,少量铜的加入可改善铝的耐电流性。理论计算了电子束蒸镀沉积时,镀源和镀膜中铜质量分数的对应关系。对纯铝和不同铜质量分数的铝铜合金进行了金属线耐电流测试和薄... 详细信息

发光二极管（LED）芯片反射电极中铝的稳定性对芯片的可靠性至关重要,少量铜的加入可改善铝的耐电流性。理论计算了电子束蒸镀沉积时,镀源和镀膜中铜质量分数的对应关系。对纯铝和不同铜质量分数的铝铜合金进行了金属线耐电流测试和薄膜反射率测试,并对纯铝或铝铜合金电极的LED芯片进行了老化测试。结果表明,相对于纯铝电极结构,铜质量分数为2%的铝铜合金电极在几乎不影响反射率的前提下,可显著提高电极的耐电流性能。以铝铜合金为电极的LED芯片在老化过程中,可有效阻止铝的电迁移,从而显著提升了LED芯片的可靠性。

关键词：铝铜合金 LED芯片反射电极可靠性电迁移电子束蒸镀

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基于复振幅调制的全息视网膜显示

光电子技术 2018年第1期38卷 19-22页

作者：祁怡君张秀敏闫晓密黄慧诗夏军东南大学电子科学与工程学院南京210096 江苏新广联半导体有限公司无锡江苏214192

提出一种适用于增强现实的视网膜显示技术,利用一个相位型空间光调制器结合计算机全息图算法,实现了直接在视网膜上进行全息重建。首次从理论出发,给出了相位型空间光调制器输入相位与眼球前平面光场的计算关系,讨论并比较了基于GS的全... 详细信息

提出一种适用于增强现实的视网膜显示技术,利用一个相位型空间光调制器结合计算机全息图算法,实现了直接在视网膜上进行全息重建。首次从理论出发,给出了相位型空间光调制器输入相位与眼球前平面光场的计算关系,讨论并比较了基于GS的全息图计算方法和基于双相位编码的复振幅调制全息图计算方法的特点,采用复振幅调制,全息重建中的散斑噪声得到抑制。仿真和实验结果验证了应用于视网膜全息成像的计算机全息图算法的有效性。实验证明,该方法能够利用一个纯相位空间光调制器在眼球里进行多平面的无散斑全息重建,同时在视网膜附近重建振幅信息,使得眼睛聚焦在某个平面时,该平面的图像能够恰好投影在视网膜上。整个过程模拟了自然场景中人眼调焦和观察的过程,不同于双目视差的三维显示方法,文章提出的视网膜显示技术是一种真三维全息重建,不存在视觉辐辏调节冲突。

关键词：全息显示复振幅调制增强现实

快速热退火对ITO薄膜及LED芯片性能的影响

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半导体技术 2017年第10期42卷 765-768页

作者：闫晓密黄慧诗华斌张秀敏莫晓帆周东江苏新广联半导体有限公司江苏无锡214000 南京大学电子科学与工程学院南京210046

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触。研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触。研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响。结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33Ω/和93.1%,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3%;氧气体积流量为1 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为70Ω/和95.9%,LED芯片的电流扩展不佳,其正向电压较高,电光转换效率为43.8%;氧气体积流量为0.4 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为58Ω/和95.4%,LED芯片的电流扩展最佳,其亮度最高、正向电压最低,电光转换效率较高,为52.9%。

关键词：快速热退火(RTA) ITO薄膜电流扩展 LED芯片磁控溅射

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弯曲锯齿型单壁碳纳米管的电子学特性研究

微纳电子技术 2011年第3期48卷 141-145页

作者：傅青方闫晓密郝大鹏何道伟 Terence K.S.W. 王利光江南大学理学院江苏无锡214122 新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院新加坡639798

采用密度泛函数的B3LYP和非平衡格林函数方法分别对锯齿型单壁(5.0)碳纳米管(SWCNT)及外接Au电极后的电子结构和电子传输特性进行了理论研究。另外用同样的方法,对弯曲的SWCNT和外接Au电极的器件的电子结构、电子传输特性进行了研究。... 详细信息

采用密度泛函数的B3LYP和非平衡格林函数方法分别对锯齿型单壁(5.0)碳纳米管(SWCNT)及外接Au电极后的电子结构和电子传输特性进行了理论研究。另外用同样的方法,对弯曲的SWCNT和外接Au电极的器件的电子结构、电子传输特性进行了研究。比较发现,两个模型在HOMO状态下的电子分布主要集中在两端,总的传输性能比LUMO状态下要弱。虽然两种模型具有相似的能带结构,但弯曲SWCNT的能隙较未弯曲SWCNT的能隙要小。另外两种模型的传输谱与态密度有着明显的对应性,但弯曲的碳纳米管的传输谱较未弯曲碳纳米管的传输谱峰值大很多,说明弯曲过后SWCNT的电子输运性能要远优于未弯曲SWCNT。

关键词：弯曲锯齿型单壁碳纳米管密度泛函理论非平衡格林函数电子传输电子结构

翻转课堂结合PBL用于围术期床旁超声心动图规范化培训的效果

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中华麻醉学杂志 2024年第5期44卷 615-618页

作者：郭小密赵岩张丽王静谢明星孙振兴华中科技大学同济医学院附属协和医院超声医学科武汉430022 武汉亚心总医院超声科武汉430056 华中科技大学同济医学院附属协和医院麻醉科武汉430022

目的评价翻转课堂结合基于问题教学(PBL)用于围术期床旁超声心动图规范化培训的效果。方法选取2021年1月至2022年6月在华中科技大学同济医学院附属协和医院麻醉科轮转规培二年级学生64名,性别不限,采用随机数字表法分为2组(n=32):对照... 详细信息

目的评价翻转课堂结合基于问题教学(PBL)用于围术期床旁超声心动图规范化培训的效果。方法选取2021年1月至2022年6月在华中科技大学同济医学院附属协和医院麻醉科轮转规培二年级学生64名,性别不限,采用随机数字表法分为2组(n=32):对照组采用传统教学模式,试验组采用翻转课堂结合PBL模式。在为期3个月的床旁超声心动图标准切面及血流动力学评价教学结束后,比较2组超声心动图理论综合成绩和临床实践成绩(≥80分为优良),并通过发放问卷对学生的自主学习能力和主动性、学习兴趣、专业知识掌握效率、对带教工作满意度、沟通协作能力及临床思维能力进行调查。结果与对照组相比,试验组学生超声心动图理论综合成绩[(87±8)分vs(80±8)分]和临床实践成绩[(86±8)分vs(78±8)分]明显升高,超声心动图理论综合成绩优良率(88%vs 47%)和临床实践成绩优良率(84%vs 50%)明显升高(P<0.05或0.01)。共发放64份调查问卷,收回64份,回收率为100%。试验组学生超声心动图自学能力和主动性增强(94%vs 69%)、学习兴趣增强(91%vs 66%)、专业知识掌握效率提高(97%vs 75%)、对带教工作满意(94%vs 62%)、沟通协作能力增强(84%vs 62%)及临床思维能力增强(88%vs 59%)等方面明显优于对照组(P<0.05)。结论翻转课堂结合PBL用于围术期床旁超声心动图规范化培训的效果优于传统教学。

关键词：超声心动描记术围手术期教学方法基于问题教学翻转课堂