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Analysis and solution of streak effect in high dynamic range CMOS image sensors

Science China(Information Sciences) 2025年第1期68卷 402-403页

作者： wanbin zha Jiangtao XU Jinghua AO Kaiming NIE Zhiyuan GAO School of Microelectronics Tianjin University Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology Tianjin University

The high dynamic range (HDR) CMOS image sensor has been widely used in many fields,such as autonomous driving and security guarding [1].The dual conversion gain (DCG)structure,which adjusts the conversion gain (CG) by changing the capacitors connected to the floating diffusion (FD)nodes in the pixel,is an effective and prevalent method for realizing HDR imaging [2].While the DCG structure can extend the dynamic range,in the practical HDR imaging process,the substantial number of photo-generated electrons in bright areas can cause significant voltage variations in the pixel *** variations affect the gray values in darker areas of the same image,leading to the streak effect [3].This study primarily investigates the streak effect caused by forward conduction current of the PN junction in DCG pixels,and proposes a circuit to suppress this effect.

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