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Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and SiBJT

Rare Metals 2003年第1期22卷 69-74页

作者： MENGXiangti wangruipian KANGAiguo WANGJilin JIAHongyong CHENPe InstituteofMicroelectronics TsinghuaUniversityBeijing100084China InstituteofNuclearEnergyTechnology TsinghuaUniversityBeijing100084China

The change of electrical performances of silicon-germanium (SiGe)heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied as afunction of reactor fast neutron radiation fluence. Alter neutron irradiation, the collector currentI_c and the current gain beta decrease, and the base current I_b increases generally for SiGe HBT.The higher the neutron irradiation fluence is, the larger I_b increases. For conventional Si BJT,I_c and I_b increase as well as beta decreases much larger than SiGe HBT at the same fluence. It isshown that SiGe HBT has a larger anti-radiation threshold and better anti-radiation performance thanSi BJT. The mechanism of performance changes induced by irradiation was preliminarily discussed.

关键词： semiconductor technology SiGe HBT neutron irradiation Si BJT electrical performance

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