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20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术
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电子工业专用设备 2017年 第1期46卷 8-13页
作者： vincent charbois Julie Lebreton Mylène Savoye Eric Labonne Antoine Labourier Benjamin Dumont Chet Lenox Mike von Den Hof STMicroelectronics Crolles 2 SAS Crolles 法国 KLA-Tencor公司 欧洲
介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善。介绍的缺陷检测优化与缺陷减少方法是针对高性能逻辑器件所用的300 mm晶圆上的高介电常数金属栅极(HKMG)层叠模块而实施的。
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