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Antiferromagnetism and p-type conductivity of nonstoichiometric nickel oxide thin films

InfoMat 2020年第4期2卷 769-774页

作者： Mari Napari Tahmida N.Huq Tuhin Maity Daisy Gomersall Kham M.Niang Armin Barthel Juliet E.Thompson Sami Kinnunen Kai Arstila timo sajavaara Robert L.ZHoye Andrew J.Flewitt Judith L.MacManus-Driscoll Department of Materials Science and Metallurgy University of CambridgeCambridgeUK Electrical Engineering Division Department of EngineeringUniversity of CambridgeCambridgeUK Department of Physics University of JyvaskylaJyvaskylaFinland Zepler Institute for Photonics and Nanoelectronics University of SouthamptonSouthamptonUK

Nickel oxide(NiO)is one of the most studied transition metal oxides due to its versatile chemical and electronic properties,enabling it to be used in a wide variety of *** its stoichiometric form,NiO is an antiferromagnetic insulator,with resistivity up to 10^13Ωcm.1 When Ni vacancies are introduced,the nonstoichiometric nickel oxide becomes a semiconductor.

关键词： atomic layer deposition chemical vapor deposition nickel oxide solution deposition thin films

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