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Environmental engineering of transition metal dichalcogenide optoelectronics

Frontiers of physics 2018年第4期13卷 21-52页

作者： Trevor LaMountain Erik.J. Lenferink.Yen-Jung Chen teodor k. stanev Nathaniel P. Stern Department of Physics and Astronomy Northwestern University Evanston Illinois 60208 USA

The explosion of interest in two-dimensional van der Waals materials has been in many ways driven by their layered geometry. This feature mak.s possible numerous avenues for assembling and ma- nipulating the optical and electronic properties of these materials. In the specific case of monolayer transition metal dichalcogenide semiconductors, the direct band gap combined with the flexibility for manipulation of layers has made this class of materials promising for optoelectronics. Here, we review the properties of these layered materials and the various means of engineering these properties for optoeleetronics. We summarize approaches for control that modify their structural and chemical en- vironment, and we give particular detail on the integration of these materials into engineered optical fields to control their optical characteristics. This combination of controllability from their layered surface structure and photonic environment provide an expansive landscape for novel optoelectronic phenomena.

关键词： transition metal dichalcogenides optoelectronics van der Waals materials heterostructures excitons

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