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Propagation delay and power dissipation for different aspect ratio of single-walled carbon nanotube bundled TSV

Journal of Semiconductors 2015年第6期36卷 99-104页

作者： tanu goyal Manoj Kumar Majumder Brajesh Kumar Kaushik Department of ECE IEC College of Engineering and Technology Department of E&CE Indian Institute of Technology Roorkee

Through-silicon vias （TSVs） have provided an attractive solution for three-dimensional （3D） integrated devices and circuit technologies with reduced parasitic losses and power dissipation, higher input-output （I/O） den- sity and improved system performance. This paper investigates the propagation delay and average power dissipation of single-walled carbon nanotube bundled TSVs having different via radius and height. Depending on the physical configuration, a comprehensive and accurate analytical model of CNT bundled TSV is employed to represent the via （vertical interconnect access） line of a driver-TSV-load （DTL） system. The via radius and height are used to estimate the bundle aspect ratio （AR） and the cross-sectional area. For a fixed via height, the delay and the power dissipation are reduced up to 96.2% using a SWCNT bundled TSV with AR = 300 ： 1 in comparison to AR = 6：1.

关键词： carbon nanotube through-silicon vias equivalent RLC circuit model propagation delay power-delay product area-delay product

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