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Stabilization of a high-order harmonic generation seeded extreme ultraviolet free electron laser by time-synchronization control with electro-optic sampling

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High Power Laser Science and Engineering 2015年第2期3卷 1-10页

作者： H.tomizawa t.Sato K.Ogawa K.togawa t.tanaka t.Hara M.Yabashi H.tanaka t.Ishikawa t.togashi S.Matsubara Y.Okayasu t.Watanabe E.J.takahashi K.Midorikawa M.Aoyama K.Yamakawa S.Owada A.Iwasaki K.Yamanouchi RIKEN SPring-8 Center Japan Synchrotron Radiation Research Institute RIKEN Center for Advanced Photonics Japan Atomic Energy Agency the University of tokyo

A fully coherent free electron laser(FEL) seeded with a higher-order harmonic(HH) pulse from high-order harmonic generation(HHG) is successfully operated for a sufficiently prolonged time in pilot user experiments by using a timing drift feedback. For HHG-seeded FELs, the seeding laser pulses have to be synchronized with electron bunches. Despite seeded FELs being non-chaotic light sources in principle, external laser-seeded FELs are often unstable in practice because of a timing jitter and a drift between the seeding laser pulses and the accelerated electron bunches. Accordingly,we constructed a relative arrival-timing monitor based on non-invasive electro-optic sampling(EOS). the EOS monitor made uninterrupted shot-to-shot monitoring possible even during the seeded FEL operation. the EOS system was then used for arrival-timing feedback with an adjustability of 100 fs for continual operation of the HHG-seeded FEL. Using the EOS-based beam drift controlling system, the HHG-seeded FEL was operated over half a day with an effective hit rate of 20%–30%. the output pulse energy was 20 μJ at the 61.2 nm wavelength. towards seeded FELs in the water window region, we investigated our upgrade plan to seed high-power FELs with HH photon energy of 30–100 e V and lase at shorter wavelengths of up to 2 nm through high-gain harmonic generation(HGHG) at the energy-upgraded SPring-8Compact SASE Source(SCSS) accelerator. We studied a benefit as well as the feasibility of the next HHG-seeded FEL machine with single-stage HGHG with tunability of a lasing wavelength.

关键词： arrival-timing monitor electro-optic sampling(EOS)

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DISCREtE PARtCLE SIMULAtION OF MESO-SCALE StRUCtURES IN GAS-SOLID FLOWS

DISCRETE PARTCLE SIMULATION OF MESO-SCALE STRUCTURES IN GAS-...

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多相流研究进展国际会议

作者： t.tanaka Y.tsuji Department of mechanical engineering Osaka University 2-1 Yamada-oka Suita Osaka 565-0871 Japan Department of mechanical engineering Osaka University 2-1 Yamada-oka Suita Osaka 565-0871 Japan

＜正＞ One of the distinctive features of gas-solid flows is the formation of meso-scale structure of particles such as bubbles in fluidized beds or clusters in CFB risers. Such meso-scale structures of particles have substantial effects on the flows and transport phenomena between the both phases. these meso-scale structures of particles formed in gas-particle flows can be predicted by using the discrete particle simulation. this paper presents the state-of-the-art of the discrete particle simulation of gas-solid flows with particle-particle interaction, and its applications to the prediction of particle meso-scale structures.

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影响热、温辊轧螺旋齿轮质量的主要因素

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锻压技术 1989年第5期14卷 19-24页

作者： A. Danno t. tanaka 苑世剑

螺旋齿轮热辊轧生产工艺中,许多因素对成品齿轮的质量有明显影响。本文第一部分阐述了在齿轮形双辊模辊轧工艺中,主要因素对被加工齿轮质量的影响,并对用圆柱毛坯制造出高精度无缺陷齿轮的要求进行了总结。第二部阐述了辊轧后立即短时... 详细信息

螺旋齿轮热辊轧生产工艺中,许多因素对成品齿轮的质量有明显影响。本文第一部分阐述了在齿轮形双辊模辊轧工艺中,主要因素对被加工齿轮质量的影响,并对用圆柱毛坯制造出高精度无缺陷齿轮的要求进行了总结。第二部阐述了辊轧后立即短时再加热可有效地使渗碳淬硬的齿轮具有很细的奥氏体晶粒和高的疲劳强度。第三部分阐述了渗碳淬火后,通过螺旋磨轮精整,可以获得精度很高的齿轮。最后,推荐了一个制造高质量螺旋齿轮的新工艺。

关键词：辊轧螺旋齿轮齿轮轧制

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Effect of Ⅵ/Ⅱ ratio upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped Znte films grown by MOVPE

Effect of Ⅵ/Ⅱ ratio upon photoluminescence and electrical ...

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第18届国际真空大会

作者： M. Nishio K. Saito t. tanaka Department of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Science and EngineeringSaga University Synchrotron Light Application Center Saga University

Znte is a promising material for pure green light emitting diodes （LEDs）. Since the LED is obtainable by a thermal diffusion of Al into phosphorus （P）-doped Znte, P is considered to be a suitable p-type dopant in Znte. In previous studies, we have successfully grown P-doped Znte films by metalorganic vapor phase epitaxy （MOVPE） using tris-dimethylaminophosphorus （tDMAP） as a P source. In order to obtain P-doped Znte film with a high carrier concentration of around 1018 cm-3, however, nitrogen annealing treatment is required after the growth for a relatively lower substrate temperature such as 420 oC. On the other hand, a use of a substrate temperature of 500 oC leads to P-doped Znte film with a carrier concentration as high as 1.3×1018 cm-3 without the annealing treatment, indicating that a high substrate temperature is favorable for obtaining high concentration easily. therefore, it is important to investigate the role of the ratio of the transport rate of diethyltelluride to dimethylzinc, so-called VI/II ratio, in photoluminescence （PL） and electrical properties in P-doped Znte grown at 500 oC to acquire the knowledge concerning doping mechanism of Znte, since such investigations do not exist. the P-doped films were grown by atmospheric pressure MOVPE in almost the same manner as was employed in the previous studies. In this experiment, hydrogen carrier gas flow rate was 4.8 slm. DEte and tDMAP transport rates were kept at 84 and 3μmol/min, respectively. the low temperature PL spectrum of P-doped film varies with the VI/II ratio considerably. For the VI/II ratios less than 1.2, i.e., under a te rich condition, PL spectrum is dominated by a weak donor-related bound exciton peak at 2.378eV and a strong acceptor-related bound exciton one at 2.375 eV together with a considerably weak free exciton one at 2.38 eV, indicating the difficulty of P doping. For a VI/II ratio of one, on the other hand, the PL spectrum is characterized by strong acceptor-related exciton and fr

关键词： Znte MOVPE P doping Photoluminescence VI/II ratio

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机载云粒子视频显微镜

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气象科技 1990年第5期18卷 92-94页

作者： t.tanaka 韩志刚刘锋

研制了一种新的机载云粒子测量系统.系统由三部分组成:云粒子检测部件、图象显示与记录部件和控制部件.装于飞机头部的探测部件由三部分组成:用于调节采样时间的两个快门、步进式疏水镜台以及带有电荷耦合器件(CCD)视频照相机的光学显微... 详细信息

研制了一种新的机载云粒子测量系统.系统由三部分组成:云粒子检测部件、图象显示与记录部件和控制部件.装于飞机头部的探测部件由三部分组成:用于调节采样时间的两个快门、步进式疏水镜台以及带有电荷耦合器件(CCD)视频照相机的光学显微镜.根据阴极射线管上的云粒子图象,用目视即刻就可辨认出云粒子的相态(冰和水)、尺寸、形状和数目.云粒子图象可同时记录在视频磁带录相机(VtR)内.飞行之后,图象信号可方便地从录相机中读出,并由粒子图象分析器进行处理,供进一步分析使用. 观测结果表明,该系统能以1.4秒的时间分辨率提供直径范围为5～150微米云粒子的高质量图象.本文对由粒子图象计算得到的液水含量和由J-W热线含水量仪所得值进行了比较.

关键词：云粒子热线含水量仪光学显微镜图象显示控制部件电荷耦合器件图象分析器步进式液态水含量直径范围

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含triclosan和Sodium Monofluorophosphate新型牙膏对牙菌斑量和唾液中变异链球菌数的影响

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复旦学报（医学版） 2005年第1期32卷 83-85页

作者：梁勤石四箴 Caplan DJ Nagashima S tanaka t takase N Stamm JW 同济大学儿童口腔医学研究所上海200032 北卡罗莱纳大学口腔医学院美国275997450 日本Sunstar公司口腔健康推进部口腔保健研究所

目的评价一种含0.3％triclosan和1.1％sodium monofluorophosphate(SMFP)新型牙膏抑制牙菌斑和唾液中变异链球菌数的效果。方法对239名12-13岁学生进行为期6个月的临床检查,在首次及以后的第3个月和第6个月进行。检查内容包括牙菌... 详细信息

目的评价一种含0.3％triclosan和1.1％sodium monofluorophosphate(SMFP)新型牙膏抑制牙菌斑和唾液中变异链球菌数的效果。方法对239名12-13岁学生进行为期6个月的临床检查,在首次及以后的第3个月和第6个月进行。检查内容包括牙菌斑计数和唾液中变异链球菌数的检测。结果 (1)与对照组相比较,实验组3个月和6个月后的牙菌斑计数有很明显的降低,两组间有显著性差异(P分别为0.016和0.047)。 (2)两组唾液中变异链球菌数在6月后均有明显降低,但无显著性差异(P=0.41)。结论含0.3％triclosan和 1.1％SMFP新型牙膏能显著抑制牙菌斑的形成。

关键词：牙菌斑变异链球菌唾液菌数对照组首次抑制牙膏新型显著性差异

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日本数据中继卫星计划

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飞行器测控技术 1989年第2期8卷 73-80页

作者： tanaka,t 李纲

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二级处理市政废水中有机物的化学氧化

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水处理信息报导 2002年第2期 32-37页

作者： t．tanaka 赵谨

实验对比了O3，O3／UV，O3／tiO3／tiO2，UV／tiO2，和O3／UV／tiO2法化学氧化二级处理市政废水中有机物的效果。同时研究了碳酸盐对处理效果的影响。脱除水中的碳酸盐，提高了所有方法的tOC降低率。碳酸盐对O3的影响小于对其它方法的... 详细信息

实验对比了O3，O3／UV，O3／tiO3／tiO2，UV／tiO2，和O3／UV／tiO2法化学氧化二级处理市政废水中有机物的效果。同时研究了碳酸盐对处理效果的影响。脱除水中的碳酸盐，提高了所有方法的tOC降低率。碳酸盐对O3的影响小于对其它方法的影响。无论有无碳酸盐存在，O3／UV法降低tOC都最有效。脱碳条件下，O3／tiO2法提高了反应初始阶段臭氧处理的效率。但在有碳酸盐条件下，tiO2催化剂的投加抑制了臭氧处理的效率。光催化氧化法（UV／tiO2）的tOC降低率小于其它方法，但反应时间长。O3／UV／tiO2法未能表现出臭氧化和光催经的协同效果。另外，在絮凝前进行臭氧处理，提高了絮法的tOC降低率，但这种效率受水中碳酸盐的影响。

关键词：二级处理化学氧化絮凝市政废水臭氧处理难降解有机物催化剂 UV照射废水处理

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钢的控制轧制

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兵器材料科学与工程 1985年第Z1期 101-116页

作者： t.tanaka 张展文

控制轧制的主要目的是细化晶粒组织,从而提高热轧钢的强韧性。综观控制轧制的发展可以看出它主要由三个阶段组成:①在高温下的再结晶区变形;③在紧靠Ar;以上的低温无再结晶区变形;③在奥氏体-铁素体两相区变形。要强调的是,无再结晶区... 详细信息

控制轧制的主要目的是细化晶粒组织,从而提高热轧钢的强韧性。综观控制轧制的发展可以看出它主要由三个阶段组成:①在高温下的再结晶区变形;③在紧靠Ar;以上的低温无再结晶区变形;③在奥氏体-铁素体两相区变形。要强调的是,无再结晶区变形的重要性在于,奥氏体中产生变形带而把奥氏体晶粒划分为好几部分。在γ-α两相区变形产生一种由转变之后的等轴晶粒和亚晶所组成的混合组织,从而进一步提高强度和韧性。常规的热轧与控制轧制之间的主要差别在于,前者的铁素体只在奥氏体晶界上形核,而后者在晶内及晶界上形核,因而导致晶粒组织更加细小。控轧钢材中形成织构,将引起机械性能沿板面的各向异性和沿板厚度方向上的脆性。后者是造成夏比（冲击）试样出现层状断裂的主要原因。目前控制轧制意味着包括如下全部工艺:①选择适当的化学成分;②正确的钢坯加热温度以获得细小而均匀的γ晶粒;③由于反复地进行变形与再结晶,γ晶粒细化;④在无再结晶区内变形;⑤在γ-α两相区变形和⑥控制冷却速度。本文对控制轧制的基本现状,例如奥氏体的再结晶过程、铌阻止奥氏体再结晶的机理、显微组织伴随着变形所发生的变化以及影响强度和韧性的因素等方面加以综述,而对薄板厂中的控制轧制生产工艺则予以概略的介绍。

关键词：再结晶过程钢中显微组织晶粒组织控轧铁素体两相区金相组织晶体结构固溶体控制轧制等轴晶粒

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Effects of substrate temperature upon the properties of ZnMgte layer grown by MOVPE

Effects of substrate temperature upon the properties of ZnMg...

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第18届国际真空大会

作者： K. Saito Y. Inoue Y. Hayashida t. tanaka M. Nishio Synchrotron Light Application Center Saga University Department of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Science and EngineeringSaga University

Zn1-xMgxte ternary alloy is a candidate for an optically active layer in green-to-blue range of spectrum and a cladding layer for improving a performance of Znte-based pure-green light-emitting-diodes and for realizing Znte-based laser diodes. Unfortunately, there are only a few works on Zn1-xMgxte epitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy （MOVPE）, which is a potential epitaxial growth technique for mass production. In our previous studies, nominally undoped Zn1-xMgxte epitaxial layers have been successfully grown on （100） Znte substrates by MOVPE using dimethylzinc （DMZn）, bis-methylcyclopentadienyl-magnesium （（MeCp）2Mg） and diethyltelluride （DEte）. It has been found that the Mg composition in the layer drastically increases with decreasing DEte transport rate or with increasing the total carrier gas flow rate. In addition, we have reported on the relationship between the optical quality of the grown layers and the transport rate ratio of group VI source to group II ones. On the other hand, the substrate temperature is also one of the important parameter of growth condition. However, there is no report on the influence on the growth of Zn1-xMgxte layer. In this work, we studied the effects of substrate temperature upon the optical properties, Mg composition, and surface morphology of undoped Zn1-xMgxte layers grown by MOVPE. the growth of undoped Zn1-xMgxte layers was performed on （100） Znte substrates using a vertical-type atmospheric pressure MOVPE system in almost the same manner as employed in the previous studies. the transport rates of DMZn, （MeCp）2Mg, and DEte were fixed at 15, 2, and 10μmol/min, respectively. the total flow rate of hydrogen carrier gas was 800 sccm. the substrate temperature （tsub） was varied from 340 to 420 °C. the Mg composition （x） and the surface morphology were investigated by energy dispersion X-ray （EDX） analysis and atomic force microscopy, respectively. Photoluminescence （PL） measurement was performed at 4.2 K. the

关键词： ZnMgte II-VI semiconductor MOVPE substrate temperature

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