检索结果-南通市图书馆

Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates by MOCVD

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2011年第10期54卷 1815-1818页

作者： LI HaiOu HUANG Wei LI SiMin tang chakwah LAU KeiMay Information and Communication College Guilin University of Electronic Technology Guilin 541004 China Department of Electronics and Computer Engineering Hong Kong University of Science and Technology 58th Research Institute China Electronics Technology Group Corporation Wuxi 214061 China

Metamorphic Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As high electron mobility transistors (mHEMTs) grown by Metal Organic ChemicalVapor Deposition (MOCVD) on n-type silicon substrates with introduction of a novel multi-stage buffering stack scheme havebeen fabricated for the first time. 1.0- m-gate-length depletion-mode mHEMTs with maximum transconductance up to 613mS/mm are achieved. The unity current gain cut-off frequency (fT) and the maximum oscillation frequency (fmax) are 36.9 and55.6 GHz, respectively. This device has the highest fTyet reported for 1.0- m-gate-length HEMTs grown on silicon byMOCVD. Also, this performance is comparable to that of similar GaAs-based mHEMTs. These are encouraging initial resultsleading to the manufacturing potential of integrated high-speed metamorphic devices for logic applications on silicon sub-strates by MOCVD.

关键词： HEMT器件 MOCVD GaInAs 硅衬底变质高电子迁移率晶体管最高振荡频率金属有机

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Fabrication of 0.3-m T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organic chemical vapor deposition

引用

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2012年第4期55卷 644-648页

作者： tang chakwah LAU KeiMay Department of Electronics and Computer Engineering Hong Kong University of Science and Technology

We present an InGaAs metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) grown using Metalorganic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) on an n-type silicon substrate with the introduction of an effective multi-stage buffering *** and performance of a high-frequency 0.3-m gate-length depletion-mode Al 0.50 In 0.50 As/Ga 0.47 In 0.53 As mHEMT is reported for the first *** a combined optical and e-beam photolithography technology,submicron mHEMT devices on Si have been *** non-alloyed ohmic contact resistance R c was as low as 0.065-mm.A maximum transconductance up to 761 mS/mm was *** unity current gain cut-off frequency(fT) and the maximum oscillation frequency(fmax) were 72.8 and 74.5 GHz,*** device has the highest fT yet reported for a 0.3-m gate-length Si-based mHEMT grown using MOCVD.A high voltage gain,g m /g ds,of 40.6 is observed in the device.

关键词：化学气相沉积法 MHEMT 有机金属 gainas 硅衬底变质 MOCVD生长高电子迁移率晶体管

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：