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Effect of Bi_2O_3 Additive on the Microstructure and Dielectric Properties of BaTiO_3-Based Ceramics Sintered at Lower Temperature

引用

Journal of Materials Science & Technology 2010年第5期26卷 472-476页

作者： shunhua wu xuesong wei xiaoyong wang hongxing yang shunqi gao Institute of Electronic and Information Engineering Tianjin University Tianjin 300072 China

High performance X8R dielectric ceramics were prepared by dopingBi2O3 to BaTiO3-based *** effect of small amounts（≤1.2 mol%） ofBi2O3 additive on the microstructure and dielectric properties of BaTiO3-based ceramics have been *** Bi2O3 ,acting as a sintering additive,can effectively lower the sintering temperature of BaTiO3-based ceramics from 1300 to 1130 °*** bulk density of BaTiO3-based ceramics increased and reached the maximum value with increasingBi2O3 *** dielectric constant increased with increasingBi2O3 until it reached the maximum value with 0.8 mol%Bi2O3 additive,and the dielectric loss decreased with increasingBi2O3 *** dielectric properties of ε=2470,tanδ=0.011 and △ε/ε 25 ≤±9%（-55-150 °C） were obtained for the BaTiO3-based ceramics doped with 0.8 mol%Bi2O3 sintered at 1130 °C for 6 h.

关键词： BaTiO3-based ceramics Bi2O3 Dielectric properties X8R

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