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DOIND： a technique for leakage reduction in nanoscale domino logic circuits

Journal of Semiconductors 2016年第5期37卷 69-77页

作者： Ambika Prasad Shah Vaibhav Neema shreeniwas daulatabad Electronics & Telecommunication Engineering Department IET-Devi Ahilya University Indore-452017 India Electrical Engineering Department Indian Institute of Technology Bombay-400076 India

A novel DOIND logic approach is proposed for domino logic, which reduces the leakage current with a minimum delay penalty. Simulation is performed at 70 nm technology node with supply voltage 1V for domino logic and DOIND logic based AND, OR, XOR and Half Adder circuits using the tanner EDA tool. Simulation results show that the proposed DOIND approach decreases the average leakage current by 68.83%, 66.6%, 77.86% and 74.34% for 2 input AND, OR, XOR and Half Adder respectively. The proposed approach also has 47.76% improvement in PDAP for the buffer circuit as compared to domino logic.

关键词： deep submicron DOIND logic domino logic evaluation precharge subthreshold leakage

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