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主题

  • 1 篇 宇宙射线
  • 1 篇 igbt

机构

  • 1 篇 北京时代民芯科技...

作者

  • 1 篇 王传敏
  • 1 篇 hitoshi uemura
  • 1 篇 minho kim
  • 1 篇 shinichilura
  • 1 篇 eugen stumpf
  • 1 篇 殷丽
  • 1 篇 katsumi nakamura

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  • 1 篇 中文
检索条件"作者=Shinichilura"
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抗宇宙射线的高压IGBT模块的优化设计
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电力电子 2011年 第4期9卷 44-46,53页
作者： Hitoshi Uemura shinichilura Katsumi Nakamura Minho Kim Eugen Stumpf 殷丽（译） 王传敏（译） 不详 北京时代民芯科技有限公司
高压功率半导体器件在高压条件下工作时会出现由宇宙射线辐射引起的失效[1-3],该现象在1994年被第一次描述,现已得到证实。这种现象被称为单离子烧毁(SEB),属永久性失效。IGBT电压范围已逐渐升高到6.5kV,将不可避免地遇到由宇宙射线引... 详细信息
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