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Arsenic Polluted Groundwater and Its Countermeasures in the Middle Basin of the Ganges, Uttar Pradesh State, India

Journal of Environmental Protection 2012年第8期3卷 856-862页

作者： Yasunori Yano Kenichi Ito Akihiko Kodama Koichiro Shiomori shigeki tomomatsu Mitsuhiro Sezaki Hiroshi Yokota Center for International Relations University of Miyazaki Japan Faculty of Engineering University of Miyazaki Japan Retec Engineering INC Japan University of Miyazaki Miyazaki Japan

The arsenic contamination of groundwater in Uttar Pradesh State was first recognized in 2003 and is now seen at 20 Districts out of 70 Districts. University of Miyazaki has performed the arsenic mitigation project in Bahraich District, severest arsenic-affected one in the 20 Districts, from June 2008 until now, with JICA (Japan International Cooperation Agency). The integrated mitigation, such as the raising awareness of villager, installing of alternative water supply units and healthcare of arsenocosis patients, have been executed at the 2 villages. The symptom of the arsenocosis patients was not so severe, which will be, therefore, improved by drinking arsenic-safe water supplied through arsenic removal units, installed by this project. In this paper, following results is discussed for the situation and mechanism of arsenic contamination of groundwater, objected in connection with the installation of arsenic removal units: 1) Groundwater is almost contaminated with arsenic in deep tubewell (depth: about 30 m), but scarcely in shallow tubewell (depth: about 10 m);2) Arsenic contaminated groundwater is under the reduced condition with the oxidized condition for no-arsenic contaminated groundwater;3) Arsenic concentration shows almost linear correlation with concentrations of Fe2+ and -N;4) Ground is composed of sand with high arsenic content at around 25 m depth;5) Arsenic exists mainly in the phase of reducible fraction or weak acid soluble fraction but no oxidizable fraction in the ground.

关键词： Arsenic Contamination Ganges Groundwater Soil Mechanism Removal

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下一代功率模块用新型1.7kV CSTBT^(TM)(Ⅲ)

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电力电子 2011年第1期9卷 40-43页

作者： Kenji Suzuki Tetsuo Takahashi Ryoichi Fujii Koichi Tsurusako Yoshifumi tomomatsu 王成杰王传敏三菱电机公司北京微电子技术研究所北京时代民芯科技有限公司

功率模块用最新的IGBT性能已有了显著提高,且已经非常接近物理极限。作为下一代IGBT功率模块,我们已经在1.2kV级别上提出了CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,主要体现为精细加工的沟槽栅结构和CS层(载流子存储层)倒退型掺杂分布。基于CSTBT^(TM)(Ⅲ... 详细信息

功率模块用最新的IGBT性能已有了显著提高,且已经非常接近物理极限。作为下一代IGBT功率模块,我们已经在1.2kV级别上提出了CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,主要体现为精细加工的沟槽栅结构和CS层(载流子存储层)倒退型掺杂分布。基于CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,我们优化了1.7kV级的MOS结构,同时改进了为发射极电极表面新开发的平坦化技术,以扩大功率循环能力。

关键词：级联多电平变换器有功和无功控制直流侧电压控制

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