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Dielectric and ins.lating properties.of s.TiO_3/s. heteros.ructure controlled by cation concentration

s.ience China(Phys.cs.Mechanics.& As.ronomy) 2013年第12期56卷 2404-2409页

作者： YANG Fang YANG ZhenZhong LI WenTao LI FengMiao ZHU XueTao GU Lin LEE H.D. shubeita s. XU C. GUs.AFs.ON T. GUO JianDong Beijing National Laboratory for Condens.d Matter Phys.cs Institute of PhysicsChinese Academy of Sciences Department of Phys.cs.and As.ronomy Rutgersthe State University of New Jersey

s.TiO3 films.with different cation concentration were depos.ted on s.（001） s.bs.rates.by oxide molecular beam epitaxy. An amorphous.layer was.obs.rved at the interface whos. thicknes. depends.on the oxygen pres.ure and the s.bs.rate temperature during growth. Although lowering the oxygen vacancy concentration in s.TiO3 led to better ins.lating performance as.indi- cated by the lowered leakage current dens.ty of the heteros.ructure, the dielectric performance was.deteriorated becaus. of the thickened interracial layer that dominated the capacitance of s.TiO3/s. heteros.ructure. Ins.ead of adjus.ing the oxygen vacan- cy concentration, we propos. that controlling the film cation concentration is.an effective way to tune the dielectric and ins.- lating properties.of s.TiO3/s. at the s.me time.

关键词： oxide heteros.ructure oxide films film s.oichiometry cation concentration interfaciai layer

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