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High-performance and current crowding-free InGaN-GaN- based LEDs integrated by an electrically-reverse-connected Schottky diode and a Mg-delta doped p-GaN

引用

Frontiers of Optoelectronics 2012年第2期5卷 127-132页

作者： sei-min kim seon-ho jang ja-soon jang Department of Electronic Engineering LED-IT Fusion Technology Research Center (LIFTRC) Yeungnam University Gyeongbuk 712 749 Korea

This work demonstrates high-performance and current crowding-free InGaN/GaN light-emitting diodes （LEDs） using an electrically-reverse-connected Schottky diode （SD） and an Mg-delta （δ） doped layer. Possible mechanism of carrier transport at the interface between transparent conducting electrode （TCE） and p-GaN with the δ-doped layer is also investigated. Results show that the LED with the SD and Mg delta （δ）-doping layer yields lower series resistance, higher output power, and lower reverse leakage current compared to normal LEDs. In addition, unlike the normal LED, there is no occurrence for the current crowding effect in the proposed LED even at high current density of 380mA/cm2. These remarkable behaviours clearly indicate that the use of the SD and δ- doping in the p-GaN region is very promising to achieve high-brightness and excellent-reliability GaN-based LEDs.

关键词： GaN light-emitting diode (LED) Schottkydiode (SD) integration current crowding

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