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Influence of the Position of the Fermi Level on an Infrared Active Defect in Irradiated Silicon

Chinese Physics Letters 1995年第5期12卷 289-292页

作者： SHI Yi WU Fengmei ZHENG Youdou suezawa masashi SUMINO Koji Department of Physics Nanjing UniversityNanjing 210093 Institute for Materials Research Tohoku UniversitySendai 980Japan

Influence of the position of the Fermi level on the infrared active defect,so-called higher order bands(HOB),has been investigated in neutron irradiated silicon by using infrared absorption and Hall-effect measurements at low *** optical excitation and the introduction of thermal donors(TD)effectively alter the position of the Fermi *** optically active behaviors between the HOB and TD^(+) have been *** is suggested strongly that the mechanism of the Fermi level influencing on the HOB is the same as that of the TD^(+).

关键词： Fermi Infrared excitation

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