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急性心肌梗死研究中患者知情同意时的感受:基于DANAMI-2研究中患者知情同意过程的问卷调查

世界核心医学期刊文摘（心脏病学分册） 2005年第2期1卷 35-36页

作者： Gammelgaard A. Mortensen O.S. rossel p. 姜馨 Dep.. Med. p.ilos. and Clin. Theor. Institute of Public Health University of Copenhagen Blegdamsvej 3 2200 Copenhagen N Denmark Dr.

Objective: To analyse how p.tients in the acute p.ase of a myocardial infarct exp.rience the informed consent p.ocedure of a clinical trial. Design: A questio nnaire based follow up.survey including p.tients who gave informed consent as we ll as p.tients who did not consent to the trial. p.tients: 103 p.tients who gave informed consent and 78 who did not consent to the second Danish acute myocardi al infarction trial(DANAMI 2). Results: 76%of the trial p.rticip.nts and 63%o f the nonp.rticip.nts agreed or mostly agreed that they felt able to make a deci sion about whether or not to p.rticip.te in the trial; 50%of the trial p.rticip.ants and 34%of the non p.rticip.nts found it accep.able that p.tients in their situation have to make such a decision. Only 28%of the trial p.rticip.nts and 7%of the non p.rticip.nts read the information sheet before they made the deci sion. Conclusions: Informed consent should be sought in acute myocardial infarct ion trials desp.te the emergency situation and the medical condition of the p.ti ents. p.tientsself assessed ability to make a decision should be exp.icitly ad dressed during the informed consent p.ocess and p.tients should not be p.essuris ed into decision making. p.ysicians and research ethics committees should focus sp.cifically on imp.oving the oral information.

关键词：急性心肌梗死 DANAMI-2 知情同意问卷调查试验者伦理委员会急性期患者临床试验决策能力口头信息

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智能功率和高压集成电路及相关MOS技术

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微电子学 1990年第5期20卷 32-47页

作者： p.rossel 蔡永才

本文阐述了MOS高压和功率集成电路的现状。在前言部分叙述了这些集成结构的发展,回顾了与分立器件相比的一些主要优点,提出了一些关于集成方法的问题。对于用MOS技术制作并用作集成电路功率开关的各种器件结构进行了评述。考虑了最近开... 详细信息

本文阐述了MOS高压和功率集成电路的现状。在前言部分叙述了这些集成结构的发展,回顾了与分立器件相比的一些主要优点,提出了一些关于集成方法的问题。对于用MOS技术制作并用作集成电路功率开关的各种器件结构进行了评述。考虑了最近开发的两大电路系列:(1)智能功率技术,它包括与控制电路和保护电路集成在一起的单个或多个纵向(共漏)功率开关;(2)高压集成电路,其功率器件是横向的,电流能力较低,其控制电路(CMOS或双极)具有较高的集成密度。提出了设计智能功率开关的一些主要功能问题。对于主要的晶体管单元结构,特别是限热电路和稳偏网络,作了详细介绍。可以看出,在电气波动和与工艺有关的参数变化方面及非稳定因素方面,所涉及的模拟电路都可做到非常稳定。

关键词：功率高压集成电路 MOS技术

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功率MOS器件

引用

微电子学 1986年第6期 19-35页

作者： p.rossel 刘光耀

本文介绍新近功率MOS场效应晶体管的主要结构和电学性能。为了提高MOS晶体管的电流和电压容量,首先得论述一些基本概念;然后介绍迄今为止最有希望的功率MOS结构,即V·MOS和VD·MOS晶体管中所使用的方法。接着,我们叙述这些器件的电学性... 详细信息

本文介绍新近功率MOS场效应晶体管的主要结构和电学性能。为了提高MOS晶体管的电流和电压容量,首先得论述一些基本概念;然后介绍迄今为止最有希望的功率MOS结构,即V·MOS和VD·MOS晶体管中所使用的方法。接着,我们叙述这些器件的电学性能,即阈值电压、电压—电流特性、欧姆(电阻)特性、饱和及准饱和范围,一次和二次击穿、安全工作区。还讨论了某些动态特性。最后,分析了功率MOS场效应晶体管的基本限制之一,即导通电阻与电压控制能力间的权衡;并提供了某些与其它功率器件的比较数据。

关键词： MOS 晶体管电流半导体三极管导通电阻器件

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