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STUDY ON THE RELATION BETWEEN STRUCTURE AND HOT CARRIER EFFECT IMMUNITY FOR DEEP SUB-MICRON GROOVED GATE NMOSFET's

Journal of Electronics(China) 2003年第3期20卷 202-208页

作者： ren hongxia zhang xiaoju hao yue xu donggang(Microelectronics Institute, Xidian University, Xi’an 710071) Microelectronics Instit u te Xidian University Xi 'an 71 00 71

Grooved gate structure Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) device is consideredas the most promising candidate used in deep and super-deep sub-micron region, for it cansuppress hot carrier effect and short channel effect deeply. Based on the hydrodynamic energytransport model, using two-dimensional device simulator Medici, the relation between structureparameters and hot carrier effect immunity for deep-sub-micron N-channel MOSFET's is studiedand compared with that of counterpart conventional planar device in this paper. The examinedstructure parameters include negative junction depth, concave corner and effective channel *** results show that grooved gate device can suppress hot carrier effect deeply even indeep sub-micron region. The studies also indicate that hot carrier effect is strongly influencedby the concave corner and channel length for grooved gate device. With the increase of concavecorner, the hot carrier effect in grooved gate MOSFET decreases sharply, and with the reducingof effective channel length, the hot carrier effect becomes large.

关键词： Grooved gate NMOSFET's Hot carrier effect Deep sub-micron Structure parameter

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