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多晶硅电阻中晶粒数、晶粒平均长度及激活能的确定

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复旦学报（自然科学版） 2000年第2期39卷 135-140页

作者：阮刚 Thomas Otto 肖夏 Reinhard Streiter Thomas Gessner 复旦大学 Technical University of Chemnitz

提出了一种基于实测伏安特性确定多晶硅电阻中晶粒数及晶粒平均长度的方法．用该法得出的结果同透射电子显微镜（ＴＥＭ）的实测统计结果符合较好，平均偏差小于１５％．给出了基于多晶硅电阻电流温度关系实测曲线得出的晶粒边界激活... 详细信息

提出了一种基于实测伏安特性确定多晶硅电阻中晶粒数及晶粒平均长度的方法．用该法得出的结果同透射电子显微镜（ＴＥＭ）的实测统计结果符合较好，平均偏差小于１５％．给出了基于多晶硅电阻电流温度关系实测曲线得出的晶粒边界激活能．结果显示：经Ｈ２　气氛、４５０℃、３０ｍｉｎ退火的样品，其激活能高于未退火的．

关键词：多晶硅电阻晶粒数晶粒平均长度激活能

VLSI电路中互连线的延迟及串扰的数值模拟

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电子学报 2000年第5期28卷 142-144页

作者：阮刚肖夏宋任儒 Reinhard Streiter Thomas Otto Thomas Gessner 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 Chemnitz技术大学微技术中心

用数值计算方法详细地模拟了VLSI电路中金属互连线的延迟及串扰 .模拟结果表明 :互连线宽W同互连线节距P之比W/P =0 5～ 0 6是获得最小时间延迟并满足串扰限制的最佳尺寸 ,模拟还给出了用铜代替铝金属线及用low k电介质 (εlow k=0 5... 详细信息

用数值计算方法详细地模拟了VLSI电路中金属互连线的延迟及串扰 .模拟结果表明 :互连线宽W同互连线节距P之比W/P =0 5～ 0 6是获得最小时间延迟并满足串扰限制的最佳尺寸 ,模拟还给出了用铜代替铝金属线及用low k电介质 (εlow k=0 5εSiO2 )代替SiO2 后。

关键词：集成电路延迟串扰 VLSI 互连线数值模拟

深亚微米VLSI电路中互连线的几何优化设计

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固体电子学研究与进展 2000年第1期20卷 84-93页

作者：宋任儒阮刚肖夏 Reinhard Streiter Thomas Otto Thomas Gessner 复旦大学电子工程系 Chemnitz技术大学微工艺中心

基于三维 L aplace方程的 Silvaco Interconnect3D模拟程序数值解 ,对互连寄生电容进行了计算 ,其结果用于 0 .2 5μm CMOS技术互连延迟及串扰的 SPICE模拟中。模拟结果表明 ,基于W/ P=0 .3～ 0 .4的布线准则可以获得最优的互连延迟与串... 详细信息

基于三维 L aplace方程的 Silvaco Interconnect3D模拟程序数值解 ,对互连寄生电容进行了计算 ,其结果用于 0 .2 5μm CMOS技术互连延迟及串扰的 SPICE模拟中。模拟结果表明 ,基于W/ P=0 .3～ 0 .4的布线准则可以获得最优的互连延迟与串扰 (Crosstalk)特性 ,通过优化互连线及驱动管的几何尺寸可以显著地减小互连线的延迟及串扰噪声。

关键词：集成电路 VLSI 互连线优化设计

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基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型

Journal of Semiconductors 2000年第7期21卷 711-716页

作者：宋任儒阮刚梁擎擎 reinhardstreiter ThomasOtto ThomasGessner 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 Chemnitz技术大学微技术中心

提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .

关键词：速度饱和倒相器延迟 CMOS

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ANSYS在VLSI互连模拟中的应用

半导体技术 2000年第1期25卷 53-56页

作者：阮刚梁庆龙 reinhardstreiter 宋任儒 ThomasOtto ThomasGessner 复旦大学微电子研究所 Chemnitz技术大学微工艺中心

介绍了ANSYS程序在VLSI互连几何最佳化设计中的初步应用。应用表明:ANSYS的模拟精度高,图形显示功能强。应用ANSYS自动寻优功能使RC延迟最佳化几何参数的寻找较为迅速和直观。

关键词：集成电路互连模拟 ANSYS模拟程序 VLSI

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VLSI电路中互连线特性研究及其数值模拟

微电子学 2000年第1期30卷 1-4,7页

作者：阮刚肖夏 reinhardstreiter 宋任儒 ThomasOtto ThomasGessner 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 Chemnitz技术大学微技术中心

用数值计算方法详细模拟了室温及低温(77K)下VLSI电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟,得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果表明,互连线宽W同互连线节距P之比为0.5～0.6是获得最小时间延迟的最佳尺寸。模拟还给出了用... 详细信息

用数值计算方法详细模拟了室温及低温(77K)下VLSI电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟,得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果表明,互连线宽W同互连线节距P之比为0.5～0.6是获得最小时间延迟的最佳尺寸。模拟还给出了用铜代替铝金属线及用低介电常数电介质(εlow-k=0.5εSiO2)代替SiO2后。

关键词：集成电路互连线数值模拟 VLSI

用于SPICE模拟高频互连效应的RLC电路模型

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微电子学 2000年第5期30卷 302-308页

作者：宋任儒阮刚梁擎擎朱兆旻肖夏 reinhardstreiter ThomasOtto ThomasGessner 复旦大学电子工程系开姆尼兹技术大学微技术中心

提出了一个用于 SPICE模拟高频互连效应的 RLC互连电路模型 ,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响 ,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型 ,对频率达 1 0 0 0 MHz时芯片内长互连线的延迟、串扰、过... 详细信息

提出了一个用于 SPICE模拟高频互连效应的 RLC互连电路模型 ,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响 ,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型 ,对频率达 1 0 0 0 MHz时芯片内长互连线的延迟、串扰、过冲等互连寄生效应进行了分析。

关键词： SPICE模拟互连效应 PLC电路模型集成电路