检索结果-南通市图书馆

Thermal conductivity of complex materials

National Science Review 2019年第3期6卷 380-381页

作者： G.Jeffrey Snyder Matthias T.Agne ramya gurunathan Department of Materials Science and Engineering Northwestern University

In the discussion and analysis of thermal properties (e.g. heat capacity, thermal conductivity) the Debye approximation is typically used to describe the collective behavior of lattice vibrations (phonons) in solid ma... 详细信息

关键词： Thermal conductivity of complex materials

来源：

同方期刊数据库评论

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Thermal studies of individual Si/Ge heterojunctions--The influence of the alloy layer on the heterojunction

引用

Journal of Materiomics 2020年第2期6卷 248-255页

作者： Sien Wang Dongchao Xu ramya gurunathan G.Jeffrey Snyder Qing Hao Department of Aerospace and Mechanical Engineering University of ArizonaTucsonAZ85721-0119USA Department of Materials Science and Engineering Northwestern UniversityEvanstonIL60208USA

Phonon transport across an interface is of fundamental importance to applications ranging from electronic and optical devices to thermoelectric *** phonon scattering by an interface can dramatically suppress the thermal transport,which can benefit thermoelectric applications but create problems for the thermal management of electronic/optical *** this aspect,existing molecular dynamics simulations on phonon transport across various interfaces are often based on estimates of atomic structures and are seldom compared with measurements on real *** this work,planar Si/Ge heterojunctions formed by film-wafer bonding are measured for the interfacial thermal resistance (R_(K)) that is further compared with predictions from existing simulations and analytical *** twist angle between a 70-nm-thick Si film and a Ge wafer is varied to check the influence of the crystal *** transmission electron microscopy studies are carried out to better understand the interfacial atomic *** is found that the alloyed interfacial layer with mixed Si and Ge atoms dominates the measured thermal resistance(R_(K)).Some oxygen impurities may also help to increase RK due to the formation of glassy *** this,RK reduction should be focused on how to minimize the interdiffusion of Si and Ge atoms during the formation of a Si/Ge heterojunction.

关键词： Thermal boundary resistance Si/Ge heterojunction Film-wafer bonding Phonon

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：