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直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜

压电与声光 2005年第1期27卷 53-55页

作者：于毅赵宏锦高占友任天令刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理... 详细信息

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理。制备出的AlN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性,半高宽(FWHM)为0.35°～0.40°,折射率约为2.07。

关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射择优取向

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用于压电和电容微麦克风的体硅腐蚀相关研究

压电与声光 2006年第1期28卷 117-119页

作者：贾泽杨轶陈兢刘建设任天令刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

用溶胶-凝胶法制备的锆钛酸铅压电薄膜的微麦克风和纹膜电容式微麦克风都是基于微电子机械系统技术的硅基单片微麦克风。在其工艺制作过程中，在表面硅微加工之后进行体硅的湿法腐蚀，由此产生了硅片的正面保护和体硅腐蚀的控制等新的... 详细信息

用溶胶-凝胶法制备的锆钛酸铅压电薄膜的微麦克风和纹膜电容式微麦克风都是基于微电子机械系统技术的硅基单片微麦克风。在其工艺制作过程中，在表面硅微加工之后进行体硅的湿法腐蚀，由此产生了硅片的正面保护和体硅腐蚀的控制等新的工艺问题。从各种正面保护方法和体硅腐蚀自停止技术两方面对这一问题进行了研究和解决。保持了微麦克风具有20-40mV／Pa的开路灵敏度，并且使圆片级成品率达到70％以上。

关键词：微麦克风微电子机械系统锆钛酸压电体硅腐蚀自停止

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铁电-硅集成微麦克风和扬声器的理论设计

压电与声光 2000年第4期22卷 234-236页

作者：任天令张林涛刘理天李志坚清华大学微电子所北京100084

在现有Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺基础上，提出并设计了可集成在同一芯片上的基于ＰＺＴ铁电薄膜的压电型微麦克风、扬声器结构，对其灵敏度和声输出进行了理论计算。比较了基于ＰＺＴ和ＺｎＯ两种材料的... 详细信息

在现有Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺基础上，提出并设计了可集成在同一芯片上的基于ＰＺＴ铁电薄膜的压电型微麦克风、扬声器结构，对其灵敏度和声输出进行了理论计算。比较了基于ＰＺＴ和ＺｎＯ两种材料的微麦克风和扬声器的性能差异。

关键词：微麦克风微扬声器铁电薄膜硅设计

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面向RFIC的片上铁氧体磁膜电感

传感技术学报 2006年第5B期19卷 1930-1933页

作者：杨晨刘锋任天令刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

采用集成工艺制作了片上铁氧体磁膜(Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4,Y2.8Bi0.2Fe5O12和Co7ZrO9)射频微电感.铁氧体薄膜采用溶胶凝胶法制作,高频特性较好,适于片上电感的应用.对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明,与无磁膜结构相对比,铁... 详细信息

采用集成工艺制作了片上铁氧体磁膜(Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4,Y2.8Bi0.2Fe5O12和Co7ZrO9)射频微电感.铁氧体薄膜采用溶胶凝胶法制作,高频特性较好,适于片上电感的应用.对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明,与无磁膜结构相对比,铁氧体磁膜电感显著增强了电感性能,是一种实现小尺寸、高性能片上RFIC电感的很有前景的途径.

关键词：铁氧体薄膜电感射频集成电路

基于新型纳米复合介电材料的嵌入式微电容制备及特性(英文)

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纳米技术与精密工程 2010年第5期8卷 460-464页

作者：谢丹武潇任天令刘理天党智敏清华大学微电子所北京100084 北京科技大学高分子化学与工程系北京100083

嵌入式微电容技术是一种能够使电子器件微型化,并提高其性能及可靠性的方法.研究适用于嵌入式环境的高介电材料,有着重要的意义.采用粒径为92 nm的钛酸钡(BaTiO3)颗粒作为纳米无机填充颗粒,选用聚酰亚胺(PI)作为有机基体制备新型BaTiO3... 详细信息

嵌入式微电容技术是一种能够使电子器件微型化,并提高其性能及可靠性的方法.研究适用于嵌入式环境的高介电材料,有着重要的意义.采用粒径为92 nm的钛酸钡(BaTiO3)颗粒作为纳米无机填充颗粒,选用聚酰亚胺(PI)作为有机基体制备新型BaTiO3/PI纳米复合薄膜,并对该薄膜的介电性能、耐压特性及温度特性进行了测试;并采用光刻、溅射、刻蚀等工艺,对BaTiO3/PI纳米复合薄膜进行图形化研究,制造嵌入式微电容器件原型,其后对该器件的介电性能进行了测试.测试结果显示,嵌入式电容器件原型的介电常数在低频下达到15以上,击穿场强达到58 MV/m以上,而刻蚀和溅射工艺对薄膜的性能影响不大.

关键词：嵌入式微电容聚酰亚胺(PI) 钛酸钡(BT) 图形化

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一种4 kb铁电存储器的设计

微电子学 2005年第4期35卷 437-440页

作者：安黎魏朝刚任天令清华大学微电子所北京100084

以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4kb(512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线位线译码、驱动脉冲产生等模块。设计中,采用新开发的铁电电容模型,文中重点介绍了与传统DRAM、SRAM等存储单元... 详细信息

以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4kb(512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线位线译码、驱动脉冲产生等模块。设计中,采用新开发的铁电电容模型,文中重点介绍了与传统DRAM、SRAM等存储单元完全不同的铁电存储单元的设计方法。仿真结果表明,铁电存储器在5V工作电压下工作周期为120ns。

关键词：铁电存储器灵敏放大器铁电电容模型

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PZT薄膜的MOCVD制备技术

纳米技术与精密工程 2008年第1期6卷 64-67页

作者：阮勇谢丹任天令林惠旺刘理天清华大学微电子所北京100084

采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术（DLI-MOCVD）制备Pb（ZrxTi1-x）O3薄膜（PZT薄膜），并进行了相关研究，通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数（温度、压力、系统的气体（Ar，O2）流量、衬底转速、蠕动泵速）... 详细信息

采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术（DLI-MOCVD）制备Pb（ZrxTi1-x）O3薄膜（PZT薄膜），并进行了相关研究，通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数（温度、压力、系统的气体（Ar，O2）流量、衬底转速、蠕动泵速），制备不同组分PZT薄膜（均匀性≥±95％，尺寸为2．54—20．32cm（1—8in），厚度为50—500nm）．经XRD测试可见，PZT薄膜已形成钙钛矿结构．用SEM对其表面进行分析，结果表明，PZT薄膜表面致密均匀．

关键词：金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 锆钛酸铅(PZT) 压电铁电

在森林资源调查中应用数量化回归估测方法的误差估计

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林业科学 1979年第3期 161-167页

作者：唐守正吉林省林业勘测第二大队

在森林资源调查中,我们可以根据某些容易确定的辅助因子来估计需要调查的主要因子。当这些辅助因子中有一些是“不可计量”的因子(例如树种,立地指数等),而主要因子是“可计量”的因子(例如蓄积量)时,就可以采用“数量化回归估测方法”... 详细信息

在森林资源调查中,我们可以根据某些容易确定的辅助因子来估计需要调查的主要因子。当这些辅助因子中有一些是“不可计量”的因子(例如树种,立地指数等),而主要因子是“可计量”的因子(例如蓄积量)时,就可以采用“数量化回归估测方法”。这种方法是根据林业调查的特点,按数量化方法I所设计的一种等权抽样模型。本文将简单介绍这种模型和适用于这种模型的误差估计公式。

关键词：数量化方法不稳定性系数矩阵估计值因变量方程森林资源调查误差估计估测方法

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片上射频磁介质电感的设计与仿真

传感技术学报 2006年第5B期19卷 1934-1937页

作者：张帆杨晨刘锋任天令刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

片上无源电感是RFIC中需求很高的器件.将适宜的磁材料引入到射频微电感中,既可有效地提升电感L值,从而使电感所需面积减小,又能保持甚或提升电感Q值,是实现高性能、小尺寸射频微电感的一种非常有前景的方法.我们设计了不同结构的磁介质... 详细信息

片上无源电感是RFIC中需求很高的器件.将适宜的磁材料引入到射频微电感中,既可有效地提升电感L值,从而使电感所需面积减小,又能保持甚或提升电感Q值,是实现高性能、小尺寸射频微电感的一种非常有前景的方法.我们设计了不同结构的磁介质微电感,通过软件仿真研究了电感结构和材料参数变化对电感性能的影响,为研制小尺寸、高性能片上磁介质电感提供了理论指导.

关键词：片上电感射频集成电路铁氧体仿真